Dopaje (semiconductores)
Este dopaje pesado se representa con la nomenclatura N+ para material de tipo N, o P+ para material de tipo P. El dopaje fue desarrollado originalmente por John Robert Woodyard mientras trabajaba para la empresa Sperry Gyroscope Company durante la Segunda Guerra Mundial (1939-1945).
[2] La demanda de su trabajo sobre el radar durante la guerra no le permitió desarrollar más profundamente la investigación sobre el dopaje, pero durante la posguerra se generó una gran demanda iniciada por la empresa Sperry Rand, al conocerse su importante aplicación en la fabricación de transistores.
Los átomos de este tipo se llaman donantes ya que "donan" o entregan electrones.
Los átomos de este tipo se llaman aceptores, ya que "aceptan" o toman un electrón.
Se crea una diferencia de potencial eléctrico entre los electrodos, la cual hace que una carga (y su correspondiente ion del electrolito) entren en el polímero en la forma de electrones agregados (dopaje tipo N) o salgan del polímero (dopaje tipo P), según la polarización utilizada.
La razón por la cual el dopaje tipo N es mucho menos común es que la atmósfera de la Tierra, la cual es rica en oxígeno, crea un ambiente oxidante.
