Unión PN

Esto es lo que se conoce como pares electrón - hueco y su generación se debe a la temperatura (como una aplicación, al caso, de las leyes de la termodinámica) o a la luz (efecto fotoeléctrico).

Cuando el material dopante es añadido, este libera los electrones más débilmente vinculados de los átomos del semiconductor.

Cada hueco está asociado con un ion cercano cargado negativamente, por lo que el semiconductor se mantiene eléctricamente neutro en general.

Cuando el material dopante es añadido, este aporta sus electrones más débilmente vinculados a los átomos del semiconductor.

Para ayudar a entender cómo se produce el dopaje tipo N considérese el caso del silicio (Si).

fósforo (P), arsénico (As) o antimonio (Sb)), se incorpora a la red cristalina en el lugar de un átomo de silicio, entonces ese átomo tendrá cuatro enlaces covalentes y un electrón no enlazado.

Nótese que cada electrón libre en el semiconductor nunca está lejos de un ion dopante positivo inmóvil, y el material dopado tipo N generalmente tiene una carga eléctrica neta final de cero.

Sin embargo, existen ciertas aplicaciones especiales de bajo consumo donde es necesario saber cuanto valen dichas corrientes.