Memristor

[4]​ El memristor se encuentra actualmente en desarrollo por varios equipos, incluyendo Hewlett-Packard, SK Hynix y HRL Laboratories.Después infirió la posibilidad de un memristor como otro elemento no-lineal fundamental conectando el flujo magnético con la carga eléctrica.La pendiente de esta función se llama memristancia M y es similar a la resistencia variable.Un memristor lineal invariante en el tiempo, con un valor constante de M, es simplemente un resistor convencional.[13]​ Algunos investigadores argumentaron que las estructuras biológicas como la sangre[14]​ y la piel[15]​ se ajustaban a la definición.[19]​ Tal sistema puede cambiar erráticamente su estado bajo la sola influencia de ruido en la corriente.[21]​ Tales memristores previstos no pueden existir en dispositivos de estado sólido en la realidad física.Esto indica que la teoría del memristor necesita ampliarse o corregirse para permitir el modelado de una ReRAM precisa.No representa un campo magnético en este caso; su significado físico se discute a continuación.El símbolo Φ m puede ser considerado como la integral del voltaje con respecto al tiempo.Sustituyendo el flujo por la integral del voltaje con respecto al tiempo, y la carga como la integral de la corriente, la forma más conveniente es: Para relacionar al memristor con un resistor, capacitor e inductor, es de ayuda el aislar el término M(q), que caracteriza al dispositivo, y escribirlo como una ecuación diferencial.Resolviendo para el voltaje como una función del tiempo obtenemos: Esta ecuación revela que la memristancia define una relación linear entre la corriente y el voltaje, siempre y cuando M no varíe con respecto a la carga.Si M(q(t)) aumenta rápidamente, el consumo de corriente y potencia se detendrá dramáticamente.Tales dispositivos pueden ser categorizados como interruptores, esto investigando el tiempo y la energía que deben gastarse para lograr un valor esperado de resistencia.Estas características podrían coincidir con la RRAM, relacionando la teoría con áreas activas de investigación.El dispositivo no utiliza un flujo magnético como el memristor teórico sugiere, ni almacena una carga como un capacitor, sino que logra una resistencia que depende de la historia de la corriente.Cuando suficiente carga ha pasado a través del memristor, los iones ya no pueden moverse, el dispositivo entra en histéresis.Deja de integrar q=∫Idt, pero mantiene q en un límite superior y M fijo, actuando como una resistencia constante hasta que se invierte la corriente.informaron sobre un dispositivo memristivo flexible que comprende una heteroestructura MoOx/MoS2 intercalada entre electrodos de plata en una lámina plástica.Los memristores son mecánicamente flexibles, ópticamente transparentes y con un bajo costo de producción.Se encontró que el comportamiento memristivo de interruptores estaba acompañado por un efecto prominente memcapacitivo.Durante este proceso, la resistencia no se encuentra en el estado RON ni ROFF, sino en medio.Esto enaltece la importancia del entendimiento del papel que las vacantes de oxígeno juegan en la operación memristiva de los dispositivos que implementan óxidos complejos con una propiedad intrínseca, tales como la ferroelectricidad[56]​ o la multiferrocidad.[59]​ Un mecanismo fundamentalmente diferente para el comportamiento memristivo ha sido propuesto por Pershin[60]​ y Di Ventra.En una escala de corto tiempo, estas estructuras se comportan casi como un memristor ideal.El memristor de estado sólido de Williams se puede combinar en dispositivos llamados crossbar latches, el cual podría sustituir a los transistores en los ordenadores del futuro, dada su mayor densidad del circuito.[86]​ Sir Humphry Davy es proclamado por Leon Chua al haber realizado los primeros experimentos que muestran los efectos de un memristor.describieron un material nuevo de un memristor basado en nanopartículas de magnetita y propuso un modelo del memristor extendido que incluye tanto a la resistencia y capacitancia dependiente del tiempo.[12]​ El 5 de julio, los investigadores italianos del Politecnico di Torino, Alon Ascoli y Fernando Corinto, mostraron que un circuito puramente pasivo, que emplea componentes ya existentes, pueden exhibir dinámica memristivas.El enfoque utiliza memristores como componentes clave en un modelo para un cerebro artificial.