[1] Stanford Ovshinsky (Energy Conversion Devices) exploró las propiedades del vidrio calcógeno y su potencial de almacenamiento en los años 60.El calcógeno es el mismo material que se utiliza en dispositivos ópticos regrabables (como CD-RW y DVD-RW).La memoria Flash funciona modulando la carga electrónica almacenada en la puerta de un transistor MOS.Esto la hace especialmente útil para cubrir almacenamiento no volátil que en la actualidad viene limitado por la velocidad de acceso a los datos.Conforme las celdas se reducen en tamaño por la tecnología el problema se agrava ya que el voltaje necesario no escala con la litografía, lo que lleva a disminuir vida media esperada de los dispositivos.[2] Los límites para la PRAM tienen que ver con la degradación debida a la expansión térmica del GST durante la programación, la migración del metal y otros materiales y otros aspectos aún desconocidos.La PRAM también resiste mejor la pérdida provocada por radiación, lo que la hace más viable para usos militares y aeroespaciales.Pueden utilizarse varios elementos diferentes para seleccionar celdas en una PRAM: diodos, BJT y MOSFET entre otros.Estos no son dispositivos de estado sólido; en su lugar, se utiliza un pequeño plato recubierto con calcógeno que puede utilizarse por medio de muchas sondas eléctricas (miles o incluso millones) para su lectura y escritura.Este hecho sugiere que pueda competir en el mercado con Flash en lugar de limitarse a usos muy especializado.Aunque Flash RAM ya tiene tiempo en el mercado y una mayor capacidad (con módulos de 8 Gb saliendo al mercado), se prevé que PRAM será un verdadero competidor en este sentido ya que tiene una densidad mucho mayor y en un futuro se esperan capacidades enormes.Intel ya es el principal productor de memorias Flash NOR y parece tener los mismos planes que Samsung para PCM.
Sección de dos celdas de memoria PRAM a lo largo de la línea de bit (una se encuentra en estado cristalino y la otra en amorfo).
