Celda de memoria

An Wang, Ken Olsen y Jay Forrester también contribuyeron a su desarrollo.

[3]​ Se puede implementar usando múltiples tecnologías como por ejemplo:bipolar, MOS, y otros dispositivos semiconductores, también pueden estar compuestas por material magnético como los núcleos de ferrita o memorias de burbuja.

Dicho valor se mantiene almacenado estable hasta que es cambiado por el proceso de activación o reseteo.

[8]​ Los circuito digitales sin celdas de memoria o lazos cerrados se denominan sistemas combinacionales, sus salidas en cualquier momento dependen únicamente del valor en ese mismo momento de sus entradas.

[13]​ La memoria usada por los ordenadores o computadoras está formada principalmente por celdas de memoria DRAM, ya que el espacio necesario es mucho menor que el de las celdas SRAM y por tanto se pueden agrupar con mayor densidad obteniendo mayor capacidad a menor precio.

Celda de memoria usada en el integrado Intel 1103. Fue la primera memoria comercialmente disponible.
Celda DRAM(1 Transistor y un condensador)
Celda SRAM (6 Transistores)
Biestable J/K activo por flanco
Die de MT4C1024 integrando un- mebibit de celdas de memoria DRAM .
Celda de memoria SRAM con los transistores centrales representados como inversores
Proceso de lectura en matriz cuadrada de celdas de memoria DRAM