Transistor de efecto campo
Es un semiconductor que posee tres terminales, denominados puerta (representado con la G), drenador (D) y fuente (S).
La puerta es el terminal equivalente a la base del transistor de unión bipolar, de cuyo funcionamiento se diferencia, ya que en el FET, el voltaje aplicado entre la puerta y la fuente controla la corriente que circula en el drenaje.
El físico austro-húngaro Julius Lilienfeld solicitó en Canadá en el año 1925[1] una patente para "un método y un aparato para controlar corrientes eléctricas" y que se considera el antecesor de los actuales transistores de efecto campo.
En los FET, los electrones pueden fluir en cualquier dirección a través del canal cuando se operan en el modo lineal.
Esto hace que los FET sean adecuados para conmutar señales analógicas entre trayectos (multiplexación).
