El diodo Schottky está constituido por una unión metal-semiconductor (barrera de Schottky), en lugar de la unión convencional semiconductor P - semiconductor N utilizada por los diodos normales.

Así se dice que el diodo Schottky es un dispositivo semiconductor de "portador mayoritario".

Esto significa que, si el cuerpo semiconductor está dopado con impurezas tipo N, solamente los portadores tipo N (electrones móviles) desempeñarán un papel significativo en la operación del diodo y no se realizará la recombinación aleatoria y lenta de portadores tipo N y P que tiene lugar en los diodos rectificadores normales, con lo que la operación del dispositivo será mucho más rápida.

El diodo Schottky se emplea en varios circuitos integrados de lógica TTL.

Por ejemplo los circuitos de las series 74S, LS, ALS y AS (Schottky, Low Power Schottky, Advanced Low Power Schottky, etc.) permiten que los tiempos de conmutación entre los transistores sean mucho menores, puesto que son más superficiales y de menor tamaño, por lo que se da una mejora en la relación velocidad/potencia.