Es el material de banda más ancha a temperatura ambiente (Eg =6.2 eV) y es considerado un semiconductor del grupo III-V lo que le confiere propiedades luminiscentes.
[7] La luminiscencia es un proceso que se caracteriza por un espectro de emisión con una banda dominante centrada en 400 nm, aproximadamente.
[8] Igualmente el AlN posee altas propiedades como dureza (2x103 kgf mm-2), temperatura de fusión (2400 °C), así como una velocidad acústica alta (5760 m/s)[9] Cada átomo de aluminio está ligado a cuatro átomos de nitrógeno y viceversa, formando un tetraedro distorsionado con tres enlaces Al-N(i) (i = 1,2,3) separados 120° y situados en un plano perpendicular al enlace Al-N(0) en la dirección del eje c, como se observa en la figura 1.
Inicialmente esta técnica era poco considerada debido a su tendencia de depositar macropartículas junto con átomos y moléculas.
La mayoría de éstas son especies atómicas y moleculares, electrónica y vibracionalmente excitadas, con energías cinéticas suficientes para superar las barreras que conduzcan a la formación de nuevos compuestos o fases singulares la técnica puede dar origen a la formación de compuestos en fases metaestables con propiedades únicas.
Estas caracterizaciones se llevan a cabo paralelamente con las tareas de producción del material.
El modo E1(TO) en 671.6 cm-1 se excita por un campo eléctrico perpendicular al eje c de la molécula, mientras que el modo A1(TO) en 614 cm-1 se excita por un campo paralelo a dicho eje.
La piezoelectricidad consiste en la generación de un campo eléctrico en un material al serle aplicada una tensión mecánica que modifique su forma (efecto directo), o también en el cambio en la forma del material al aplicársele un cierto campo eléctrico (efecto inverso).
[15] Las condiciones iniciales de depósito influyen en gran medida en la polaridad del material obtenido.