Al alejar estos átomos de silicio se reducen las fuerzas atómicas que interfieren en el movimiento de los electrones a través de los transistores y, por tanto, se mejora la movilidad, lo que se traduce en un mejor rendimiento del chip y un menor consumo de energía.Estos electrones pueden moverse un 70% más rápido, lo que permite a los transistores de silicio tensado conmutar un 35% más rápido.Entre los métodos más recientes para inducir la deformación se incluye el dopaje de la fuente y el drenaje con átomos que no coinciden con la red, como el germanio y el carbono.[2] El dopaje con germanio de hasta el 20% en la fuente y el drenaje del MOSFET del canal P provoca una deformación por compresión uniaxial en el canal, lo que aumenta la movilidad de los agujeros.[3] En 2000, un informe del MIT investigó la movilidad teórica y experimental de los agujeros en dispositivos PMOS basados en heteroestructuras de SiGe.
