Silicio-germanio

Se utiliza habitualmente como material semiconductor en circuitos integrados (CI) para transistores bipolares de heterounión o como capa inductora de tensión para transistores CMOS.El SiGe también se utiliza como material termoeléctrico para aplicaciones de alta temperatura (>700 K).A las altas temperaturas a las que se fabricaban los transistores de silicio, la tensión inducida por la adición de estos átomos más grandes al silicio cristalino producía un gran número de defectos, lo que impedía que el material resultante fuera útil.Esto se traduce en un mejor rendimiento a baja corriente y alta frecuencia.En las naves espaciales Voyager 1 y 2 se utilizó un dispositivo termoeléctrico de silicio-germanio MHW-RTG3.El equipo internacional, cuyos autores principales son Elham Fadaly, Alain Dijkstra y Erik Bakkers, de la Universidad Tecnológica de Eindhoven (Países Bajos), y Jens Renè Suckert, de la Friedrich-Schiller-Universität Jena (Alemania), ha sido galardonado por la revista Physics World con el premio al avance del año 2020.