Silicio sobre aislante

Esta técnica reduce las capacidades parásitas de los circuitos fabricados, reduce el riesgo de enclavamiento en los circuitos lógicos CMOS, y mejora la escalabilidad de los circuitos integrados.El aislante empleado suele ser típicamente dióxido de silicio o, en aplicaciones en las que se busca resistencia frente a la radiación, zafiro.Si la lámina de silicio tiene una ausencia total de portadores móviles (electrones o huecos) se habla de FD-SOI (SOI totalmente descargado); si cuenta con una presencia parcial de portadores móviles será PD-SOI (SOI parcialmente descargada).La tecnología FD-SOI es muy prometedora para la miniaturización de los dispositivos electrónicos, mientras que la PD-SOI muestra sus ventajas en la fabricación de transistores que deban operar a altas frecuencias (como en microprocesadores) así como en la fabricación de memorias de un solo transistor (1T-DRAM).Su principal inconveniente es el coste: las obleas SOI son significativamente más caras que las ordinarias.