Implantación de iones

Por todo esto, la implantación de iones encuentra aplicación en los casos en que el cambio químico necesario.

Sin embargo, esto suele provocar un notable daño estructural al objetivo y además como la profundidad de distribución es importante, el cambio de la composición neta en un punto cualquiera del objetivo será reducido.

Mientras que la eliminación del segundo sustrato suele realizarse mediante técnicas convencionales de rayado o pulido, el método SmartCut desarrollado por SOITEC utiliza la implantación de iones para determinar el grosor del sustrato remanente.

En este proceso, los iones son implantados a una alta energía y dosis para poder crear una capa de una segunda fase, además de ser necesario controlar la temperatura para evitar que la estructura cristalina del objetivo se destruya.

Cada ion individualmente produce muchos defectos puntuales en el cristal objeto del impacto como son las vacantes y los intersticiales.

Las vacantes son puntos de la red cristalina que no están ocupados por ningún átomo: en este caso el ion colisiona con el átomo del objetivo, resultando una importante transferencia de energía que obliga a este último a abandonar su posición en la estructura.

Este átomo del sólido se convierte así en un proyectil que lo atraviesa, pudiendo provocar sucesivas colisiones.

Los intersticiales aparecen cuando algunos átomos (o el propio ion original) llegan al sólido y no encuentran huecos vacantes en la red.

El daño causado a la estructura cristalina puede llegar a ser lo suficientemente elevado como para volver totalmente amorfa la superficie del objetivo: por ejemplo, puede convertirse en un sólido amorfo (los sólidos fruto de una fusión reciben el nombre de vidrio).

En algunos casos, es preferible la amorfización completa del objetivo a un cristal con muchos defectos: una película amorfa puede ser reconstruida a temperaturas más bajas que las necesarias para recocer un cristal altamente dañado.

No existe relación alguna entre este efecto y los canales iónicos de las membranas celulares.

Es primordial no resultan expuesto a estos elementos carcinógenos, corrosivos, inflamables y tóxicos.

Posteriormente deben apagarse y bloquearse las fuentes de tensión para evitar descargas inesperadas.

Sistema de implantación de iones en las instalaciones del Laboratorio de Análisis y Arquitectura de Sistemas (LAAS) de Toulouse, Francia.
Esquema del proceso de implantación de iones con separador de masas.
Un cristal de estructura diamante cúbica visto desde la dirección <110>, pudiendo apreciarse los canales iónicos hexagonales.
Un cristal de estructura diamante cúbica visto desde la dirección <110>, pudiendo apreciarse los canales iónicos hexagonales.