Fabricación de circuitos integrados
Es un proceso complejo y en el que intervienen numerosas etapas de fotolitografía y procesado químico, durante las cuales los circuitos se generan sobre una oblea hecha de materiales puramente semiconductores.
La fabricación de integrados a gran escala sigue, en la actualidad un procedimiento VLSI (Very Large Scale Integration, Integración en escala muy grande, por sus siglas en inglés) partiendo del Silicio como materia prima.
Por consiguiente, se pueden construir elementos activos y pasivos en la misma pieza material (o sustrato).
El Dióxido de Silicio es una película delgada, transparente y su superficie es altamente reflejante.
Es otro método que se utiliza para introducir átomos de impurezas en el cristal semiconductor.
Su propósito es interconectar los diversos componentes (transistores, condensadores, etc.) para formar el circuito integrado que se desea, implica la deposición inicial de un metal sobre la superficie del Silicio.
Este requerimiento impone restricciones mecánicas y ópticas muy críticas en el equipo de fotolitografía.
Normalmente se utilizan alambres de oro para conectar las terminales del paquete al patrón de metalización en la pastilla; por último, se sella el paquete con plástico o resina epóxica al vacío o en una atmósfera inerte.
Todas las resistencias difundidas están autoaisladas por las uniones pn polarizadas a la inversa.
Además, es posible que exista una variación en el valor real de la resistencia cuando se aumenta el voltaje debido a un efecto llamado JFET.
Estos dos condensadores MOS están físicamente en contacto con el sustrato, lo que produce una gran capacitación parásita en la unión pn en la placa inferior.
Esta propiedad es extremadamente útil para diseñar circuitos CMOS analógicos de precisión.
