Oxidación en semiconductores

Presenta la desventaja respecto a la deposición de que hay un consumo del sustrato.

La ventaja es que el óxido así generado es de más calidad.

Otra característica de la oxidación (u oxidación térmica) es que sólo puede utilizarse al principio del proceso de fabricación cuando la oblea tiene aún el silicio al descubierto.

El crecimiento es más rápido pero presenta como desventajas mayores defectos y menor control sobre la oxidación.

La oxidación seca se realiza con oxígeno puro a una temperatura de 1200 °C.