Deposición química de vapor

El proceso se utiliza a menudo en la industria de semiconductores para producir películas delgadas.

Los procesos de microfabricación CVD se emplean ampliamente para depositar materiales en diversas formas, incluyendo: monocristalino, policristalino, amorfo, y epitaxial.

El hidrógeno reduce la tasa de crecimiento, pero la temperatura se eleva a 850 o incluso 1050 °C para compensar.

El polisilicio puede crecer directamente con dopaje, si se añaden gases tales como fosfina, arsina o diborano a la cámara de CVD.

Sin embargo, silano produce un óxido de menor calidad que los otros métodos (inferior resistencia dieléctrica, por ejemplo), y se deposita no conformemente.

Durante las etapas del proceso, además, que se producen a alta temperatura, las impurezas pueden difundirse desde el óxido de las capas adyacentes (especialmente silicio) y la doparlas.

Los óxidos que contienen impurezas 5-15% en masa a menudo se utilizan con este propósito.

La espectroscopia infrarroja y la tensión mecánica en función de la temperatura son valiosas herramientas para diagnosticar tales problemas.

Otras dos reacciones pueden utilizazse en el plasma para depositar SENOH: Estas películas tienen mucho menos estrés a la tracción, pero peores propiedades eléctricas (resistividad 106 1015 w · cm, y la fuerza dieléctrica 1 a 5 MV / cm).

[4]​ Algunos metales (significativamente el aluminio y el cobre ) rara vez, o nunca, se depositan mediante CVD.

Sin embargo, los procesos de CVD se utilizan ampliamente con el molibdeno, tantalio, titanio, níquel, wolframio.

La fuente de energía está destinado a generar un plasma en el que los gases se descomponen y producen químicas más complejas.

En cada caso el crecimiento del diamante debe hacerse cuidadosamente para lograr la adhesión necesaria sobre el sustrato.

Estos factores afectan a la dureza del diamante, suavidad, conductividad, propiedades ópticas y mucho más.