Substrato (electrónica)

Estos sirven como la base sobre la que se depositan los dispositivos electrónicos tales como transistores, diodos y, en especial, los circuitos integrados (CI).

A continuación, utilizando los procesos fotográficos estándares repetidamente, se fabrican transistores y diodos en el semiconductor.

[2]​[3]​ Se pueden añadir átomos de impureza donante, como boro o fósforo en el caso del silicio, al material intrínseco fundido en cantidades precisas para dopar el cristal y convertirlo así en un semiconductor extrínseco de tipo n o tipo p. A continuación, el "boule" se corta en rodajas para formar una oblea.

Las obleas se limpian con ácidos débiles para eliminar las partículas no deseadas.

El diámetro se ha ido incrementando gradualmente para mejorar el rendimiento y reducir los costes, y la fábrica más moderna utiliza actualmente 300 mm, con una propuesta para adoptar 450 mm[9]​[10]​ Intel, TSMC y Samsung estaban investigando por separado la llegada de fábricas "prototipo" (de investigación) de 450 mm, aunque siguen existiendo serios obstáculos.

Los grosores tabulados se refieren al momento en que se introdujo ese proceso, y no son necesariamente correctos en la actualidad; por ejemplo, el proceso BiCMOS7WL de IBM se realiza en obleas de 8 pulgadas, pero éstas sólo tienen 200 μm de grosor.