A bajas temperaturas, presenta una estructura ortorrómbica, β-Ag2Se.

Esta fase ortorrómbica, estable a temperatura ambiente, es un semiconductor de brecha estrecha, con el grupo espacial P212121.

El tamaño exacto de la brecha de banda se ha calculado entre 0,02 eV y 0,22 eV.

[4]​ También existe una fase cúbica de alta temperatura, α-Ag2Se,[5]​ en la que se transforma a temperaturas superiores a 130 °C.

La transición de fase aumenta la conductividad iónica 10.000 veces, hasta aproximadamente 2 S/cm.