Isamu Akasaki

En 2014 recibió el Premio Nobel de Física, junto a Shūji Nakamura y Hiroshi Amano, «por la invención de eficientes diodos de emisión de luz azules, que han hecho posibles las fuentes de luz blanca brillantes y de bajo consumo»,[2]​[3]​ y la Medalla Edison IEEE en 2011.

[4]​[5]​ En 1952 se graduó en la Universidad de Kioto, en ingeniería electrónica, obteniendo un M.Sc.

Con su labor, fue mejorando la calidad de los cristales de GaN y su electrónica[6]​ en el Matsushita Research Institute Tokyo, Inc.

(MRIT), donde se decidió a adoptar la deposición de vapor mediante procesos químicos organometálicos (MOVPE) como método preferido de crecimiento para el GaN.

[7]​[8]​ En 2014 le fue concedido el Premio Nobel de Física junto a Shūji Nakamura y Hiroshi Amano.