Heteroestructura

En 1947, William Brasford Shockley, el inventor del transistor, propuso por primera vez unir varios semiconductores en un solo compuesto o producto.[8]​ En 2000 se otorgó el premio Nobel de Física compartido entre los científicos Alfiórov, Kröemer por sus descubrimientos en heteroestructuras semiconductoras y "su aplicación en la electrónica de alta frecuencia y la optoelectrónica", junto al científico Jack S. Kilby por su contribución a la invención del circuito integrado.Por su avance en la miniaturización tecnológica de estos elementos, se ha conseguido mejorar y popularizar los circuitos integrados.Hasta en un semiconductor puro, sin impurezas, se generan electrones y huecos al calentarse.Es decir, si el cristal "olvida" la presencia de aditivos o impurezas, empezará a dejar pasar la corriente eléctrica en ambas direcciones y no funcionará.Los láseres con uniones PN para funcionar necesitan una temperaturas muy bajas y extremas, como la del nitrógeno líquido: −195,8 °C a una presión de una atmósfera.[4]​ Esto permite generar muchos fenómenos útiles en este nuevo semiconductor que, a diferencia de la unión PN, las altas temperaturas o el calentamiento casi no influye en estas estructuras, llamadas heteroestructuras.En la actualidad, la heteroestructura se forma con un cristal compuesto por semiconductores heterogéneos de distinto tipo.Precisamente por estas virtudes la mayor parte de los dispositivos a semiconductores producidos actualmente están constituidos por heteroestrucuturas.