Posee tres terminales, comúnmente llamados drenaje (D), puerta o compuerta (G) y fuente (S).. A diferencia del transistor de unión bipolar el JFET, al ser un dispositivo controlado por un voltaje de entrada, no necesita de corriente de polarización.

La carga eléctrica fluye a través de un canal semiconductor (de tipo N o P) que se halla entre el drenaje y la fuente.

Un JFET conduce entre los terminales D y S cuando la tensión entre los terminales G y S (VGS) es igual a cero (región de saturación), pero cuando esta tensión aumenta en módulo y con la polaridad adecuada, la resistencia entre los terminales D y S crece, entrando así en la región óhmica, hasta determinado límite cuando deja de conducir y entra en corte.

La gráfica de la tensión entre los terminales D y S (VDS) en el eje horizontal contra la corriente del terminal D (ID o corriente de drenaje) es una curva característica y propia de cada JFET.

Un JFET tiene una gran impedancia de entrada (que se halla frecuentemente en el orden de 1010 ohmios), lo cual significa que tiene un efecto despreciable respecto a los componentes o circuitos externos conectados a su terminal de puerta.

El físico austro-húngaro Julius Edgar Lilienfeld solicitó en Canadá en el año 1925[1]​ y en los Estados Unidos en los años 1926[2]​ y 1928[3]​[4]​ patentes para un dispositivo que se considera el antecesor de los actuales transistores de efecto campo, pero no lo construyó.

Al año siguiente, George Clement Dacey e Ian Ross, de los Laboratorios Bell, tuvieron éxito al fabricar este dispositivo,[7]​ cuya nueva patente fue solicitada el 31 de octubre de 1952.

Así, existen diferentes expresiones para las distintas zonas de funcionamiento.

En la región activa del JFET, siempre que la tensión entre puerta y fuente VGS sea menor que el módulo de la tensión de estrangulamiento o estricción, en la cual el JFET cae en la zona de saturación, Vp también llamada VGS(off) , la curva de valores límite de ID viene dada por la expresión: Los puntos incluidos en esta curva representan la corriente ID y la tensión VGS en la zona de saturación, mientras que los puntos del área bajo la curva representan la zona óhmica.

Por tanto, en esta zona y a efectos de análisis, el transistor puede ser sustituido por una resistencia de valor Ron, con lo que se observa una relación entre la ID y la VDS definida por la Ley de Ohm.

A partir de una determinada tensión VDS la corriente ID deja de aumentar, quedándose fija en un valor al que se denomina ID de saturación o IDSAT.

El valor de VDS a partir del cual se entra en esta nueva zona de funcionamiento viene dado por la expresión: