Hueco de electrón

La noción de «hueco», desarrollada por Werner Heisenberg en 1931, es esencialmente un modo sencillo y útil para analizar el movimiento de un gran número de electrones, considerando expresamente tal ausencia o hueco de electrones como si fuera una partícula elemental o —más exactamente— una cuasipartícula.

Aunque bien corresponde el recalcar que los «huecos» no son partículas como sí lo es —por ejemplo— el electrón, sino la «falta» de un electrón en un semiconductor;[2]​ a cada falta de un electrón —entonces— resulta asociada una complementaria carga de signo positivo (+).

Por ejemplo cuando un cristal tetravalente (es decir, de cuatro valencias) como el muy conocido silicio es dopado con átomos específicos que, como el boro, poseen solo tres electrones en estado de valencia atómica, uno de los cuatro enlaces del silicio queda libre.

Es entonces que los electrones adyacentes pueden con cierta facilidad desplazarse y ocupar el lugar que ha quedado libre en el enlace; este fenómeno es llamado entonces hueco.

Para un observador externo lo antedicho será percibido como el «desplazamiento de una carga positiva», sin embargo lo real es que se trata del desplazamiento de electrones en sentido opuesto al más frecuente.

Cuando un electrón abandona un átomo de helio , deja un hueco de electrón en su lugar. Esto hace que el átomo de helio quede cargado positivamente.
Una estructura de banda electrónica de un semiconductor (derecha) incluye la relación de dispersión de cada banda, es decir, la energía de un electrón E como una función del vector de onda del electrón k. La "banda sin relleno" es la banda de conducción del semiconductor; está curvada hacia arriba indicando masa efectivapositiva . La "banda llena" es la banda de valencia del semiconductor; se curva hacia abajo indicando masa efectiva negativa.