El fosfuro de aluminio, galio e indio (AlGaInP, también AlInGaP, InGaAlP, GaInP, etc.) es un material semiconductor que constituye una plataforma para el desarrollo de nuevos dispositivos fotovoltaicos y optoelectrónicos multiunión, ya que abarca una banda prohibida directa desde el ultravioleta profundo hasta el infrarrojo.La heteroepitaxia es un tipo de epitaxia que se realiza con materiales diferentes entre sí.Esto corresponde a la luz roja, naranja o amarilla, y por eso los LED fabricados con AlGaInP son de esos colores.[5] El AlGaInP puede aplicarse a: Un láser de diodo consiste en un material semiconductor en el que una unión p-n forma el medio activo y la retroalimentación óptica se proporciona normalmente mediante reflexiones en las facetas del dispositivo.Un LED se compone de una unión p-n que contiene un tipo p y un tipo n. El material utilizado en el elemento semiconductor de un LED determina su color.Las aleaciones AlGaInP se utilizan para fabricar LED rojos, naranjas y amarillos.
