Fosfuro de indio y galio

Se utiliza principalmente en estructuras HEMT y HBT, pero también para la fabricación de células solares de alta eficiencia utilizadas en aplicaciones espaciales y, en combinación con aluminio (aleación AlGaInP) para fabricar LED de alta luminosidad con colores naranja-rojo, naranja, amarillo y verde.Algunos dispositivos semiconductores, como el nanocristal EFluor, utilizan InGaP como partícula central.El Ga0,5In0,5P es una solución sólida de especial importancia, que prácticamente coincide en red con el GaAs.En los últimos años se han mostrado células solares en tándem de GaInP/GaAs con eficiencias AM0 (incidencia de la luz solar en el espacio=1,35 kW/m2) superiores al 25%.El crecimiento del GaInP por epitaxia puede complicarse por la tendencia del GaInP a crecer como un material ordenado, en lugar de como una solución sólida verdaderamente aleatoria (es decir, una mezcla).