Soitec es una empresa internacional con sede en Francia , que fabrica sustratos utilizados en la creación de semiconductores .
Los materiales semiconductores de Soitec se utilizan para fabricar chips que se utilizan en teléfonos inteligentes , tabletas , ordenadores , servidores informáticos y centros de datos. Los productos de Soitec también se encuentran en componentes electrónicos utilizados en automóviles, objetos conectados (Internet de las cosas), así como en equipos industriales y médicos.
El producto estrella de Soitec es el silicio sobre aislante (SOI). Los materiales producidos por Soitec se presentan en forma de sustratos (también llamados " obleas "). Se producen como discos ultrafinos de 200 a 300 mm de diámetro y menos de 1 mm de espesor. Luego, estas obleas se graban y cortan para utilizarlas en microchips en electrónica. [ cita necesaria ]
Historia
Soitec fue fundado en 1992 cerca de Grenoble , en Francia, por dos investigadores del CEA Leti , un instituto de investigación en micro y nanotecnología creado por la Comisión Francesa de Energía Atómica y Energías Alternativas (CEA). La pareja desarrolló la tecnología Smart Cut ™ para industrializar las obleas de silicio sobre aislante (SOI) y construyó su primera unidad de producción en Bernin , en el departamento francés de Isère .
La oferta de Soitec se centró inicialmente en el mercado de la electrónica. A finales de los años 2000, Soitec se lanzó al mercado de la energía solar y la iluminación, aprovechando nuevas oportunidades para sus materiales y tecnologías. En 2015, la empresa anunció que reorientaría sus esfuerzos en su negocio principal: la electrónica .
Soitec emplea a unas 2.000 personas en todo el mundo y actualmente cuenta con unidades de producción en Francia y Singapur . La compañía también cuenta con centros de I+D y oficinas comerciales en Francia, Estados Unidos ( Arizona y California ), China , Corea del Sur , Japón y Taiwán .
Fechas clave
- 1963: Se inventa SOS en North American Aviation .
- 1965: Se inventa el primer dispositivo MEMS en Westinghouse .
- 1978: Hewlett-Packard desarrolla SPER.
- 1979: NOSC comienza a investigar SOS de película delgada.
- 1988: NOSC publica sus hallazgos de SOS.
- 1989: IBM comienza a investigar SOI.
- 1990: Se funda Peregrine Semiconductor .
- 1991: Peregrine Semiconductor lanza la comercialización de SOS (UltraCMOS).
- 1992: Creación de Soitec por investigadores del CEA Leti en Grenoble, Francia.
- 1995: Peregrine Semiconductor entrega su primer producto.
- 1995: IBM comercializa SOI.
- 1997: CEA-Leti se separa de Tronics Microsystems para comercializar SOI MEMS.
- 1997: Soitec pasa a la producción en masa tras la firma de un acuerdo de licencia de tecnología Smart Cut™ con Shin Etsu Handotai (SEH).
- 1999: Construcción del primer centro de producción de Soitec en Bernin (Bernin 1) y lanzamiento de la oferta pública inicial de Soitec.
- 2001: IBM presenta la tecnología RF-SOI
- 2001: CEA-Leti y Motorola comienzan a colaborar en el desarrollo de SOI MEMS de alta relación de aspecto.
- 2002: OKI envía el primer LSI FD-SOI comercial.
- 2002: Inauguración de Bernin 2, unidad de fabricación de Soitec dedicada a obleas de 300 mm de diámetro.
- 2003: Soitec adquiere Picogiga International, empresa especializada en tecnologías para materiales compuestos III-V, y la primera incursión en materiales distintos al SOI.
- 2005: Freescale presenta HARMEMS.
- 2006: Soitec adquiere Tracit Technologies, una empresa especializada en adhesión molecular y procesos de adelgazamiento mecánico y químico, permitiendo la diversificación hacia nuevas aplicaciones para la tecnología Smart Cut™.
- 2008: Soitec abre una unidad productiva en Asia, en Singapur. En 2012, esta unidad albergaba el negocio de reciclaje de obleas de SOI. En 2013, la producción se detuvo en la unidad para prepararse para la nueva tecnología de silicio completamente empobrecido sobre aislante (FD-SOI) de la compañía.
- 2009: Soitec adquiere Concentrix Solar, proveedor alemán de sistemas de concentración fotovoltaica (CPV), entrando así Soitec en el mercado de la energía solar.
- 2011: Soitec adquiere Altatech Semiconductor, empresa especializada en el desarrollo de equipos para la producción de semiconductores.
- 2012: Soitec abre una unidad de producción de módulos CPV en San Diego , California, con una capacidad de 140 MW ampliable a 280 MW.
- 2012: GlobalFoundries y STMicroelectronics firman un acuerdo de abastecimiento para dispositivos FD-SOI de 28 nm y 20 nm. GlobalFoundries acordó fabricar obleas para STMicroelectronics utilizando el CMOS28FDSOI de este último. La tecnología FD-SOI surge de la cooperación entre Soitec, ST y CEA Leti.
- 2013: Soitec firma un acuerdo de licencia Smart Cut™ con Sumitomo Electric para desarrollar el mercado de obleas de nitruro de galio (GaN) para aplicaciones de iluminación LED. Firma de otro acuerdo, con GT Advanced Technologies, para desarrollar y comercializar equipos de producción de obleas para la fabricación de LED y otras aplicaciones industriales.
- 2014: Samsung y STMicroelectronics firman un acuerdo de licencia y fundición. Permite a Samsung utilizar la tecnología FD-SOI para producir circuitos integrados de 28 nm. La división de energía solar de Soitec también inaugura el primer 50% de la planta solar sudafricana de Touwsrivier , que tendrá una potencia total final de 44 MWp. La planta nunca se completó.
- 2015: Samsung califica su proceso 28FDS.
- 2015: Tras la paralización de algunos importantes proyectos solares en Estados Unidos, Soitec anuncia un giro estratégico hacia su negocio de electrónica y un plan de salida del negocio de la energía solar. [1]
- 2015: Peregrine Semiconductor y GlobalFoundries anuncian en julio la primera plataforma RF-SOI de 300 mm (130 nm).
- 2015: GlobalFoundries anuncia en julio la implementación de una plataforma tecnológica para producir chips FD-SOI de 22 nm (22FDX).
- 2015: Soitec y Simgui anuncian la primera producción china de obleas SOI de 200 mm.
- 2015: CEA Leti hace una demostración de MEMS en obleas SOI de 300 mm.
- 2016: Soitec inicia la fabricación en volumen de obleas RF-SOI de 300 mm.
- 2017: GlobalFoundries anuncia 45RFSOI.
- 2017: Samsung anuncia 18FDS.
- 2017: IBM y GlobalFoundries anuncian un proceso FinFET-on-SOI personalizado (14HP).
- 2017: Soitec firma un acuerdo de cinco años para suministrar obleas FD-SOI a GlobalFoundries.
- 2018: STMicroelectronics adopta el 22FDX de GlobalFoundries.
- 2018: Soitec y MBDA adquieren los activos de Dolphin Integration .
- 2019: Soitec firma un acuerdo de gran volumen para suministrar a Samsung obleas FD-SOI.
- 2019: Soitec adquiere EpiGaN
- 2019: Soitec firma acuerdos de gran volumen para suministrar obleas SOI a GlobalFoundries.
- 2020: GlobalFoundries anuncia la plataforma 22FDX+.
- 2020: Soitec firma un acuerdo plurianual para suministrar a GlobalFoundries obleas RF-SOI de 300 mm.
- 2022: inicio de la construcción de la instalación Bernin 4 para obleas de SiC , [2] cuya producción está prevista para 2024.
Operaciones
Históricamente, Soitec ha comercializado Silicon on Insulator (SOI) como un material de alto rendimiento para la fabricación de chips electrónicos para ordenadores, videoconsolas y servidores, así como para la industria del automóvil. Con la explosión de productos móviles (tabletas, smartphones, etc.) en el mercado de la electrónica de consumo, Soitec también ha desarrollado nuevos materiales para componentes de radiofrecuencia , procesadores multimedia y electrónica de potencia.
Con el rápido crecimiento del Internet de las cosas , los wearables y otros dispositivos móviles, han surgido nuevas necesidades en términos de rendimiento y eficiencia energética de los componentes electrónicos. Para este mercado, Soitec ofrece materiales que ayudan a reducir la energía consumida por los chips, mejorar su velocidad de procesamiento de información y soportar las necesidades de Internet de alta velocidad .
En el mercado de la energía solar, Soitec adquirió Concentrix Solar , luego fabricó y suministró sistemas de concentración fotovoltaica (CPV) de 2009 a 2015. [3] La investigación para crear una nueva generación de células solares de cuatro uniones llevó a Soitec a establecer un récord mundial en diciembre de 2014. con una celda capaz de convertir el 46% de los rayos solares en electricidad. Soitec anunció en enero de 2015 que abandonaría el mercado solar después de que finalizaran varios proyectos importantes de plantas solares. [4] [5]
En el sector de la iluminación, Soitec opera en el upstream y downstream de la cadena de valor del LED .
Upstream, la empresa utiliza su experiencia en materiales semiconductores para desarrollar sustratos hechos de nitruro de galio (GaN), el material base utilizado en los LED .
En el futuro, Soitec está desarrollando una serie de asociaciones industriales para comercializar nuevas soluciones de iluminación profesional [ palabra de moda ] (iluminación urbana, de oficinas y de infraestructuras de transporte).
Tecnologías
Soitec está desarrollando numerosas tecnologías para sus diferentes sectores de actividad.
Corte inteligente™
Desarrollada por CEA-Leti en colaboración con Soitec, [6] esta tecnología ha sido patentada por el investigador Michel Bruel. [7] Hace posible la transferencia de una fina capa de material monocristalino de un sustrato donante a otro combinando la implantación iónica y la unión por adhesión molecular. Soitec utiliza la tecnología Smart Cut™ para producir en masa obleas SOI. En comparación con el silicio a granel clásico, SOI permite una reducción significativa de la fuga de energía en el sustrato y mejora el rendimiento del circuito en el que se utiliza.
Apilamiento inteligente™
La tecnología implica la transferencia de obleas parcial o totalmente procesadas a otras obleas. Se puede adaptar a diámetros de oblea de 150 mm a 300 mm y es compatible con una amplia variedad de sustratos, como silicio, vidrio y zafiro.
La tecnología Smart Stacking™ se utiliza para sensores de imagen iluminados en la parte posterior, donde mejora la sensibilidad y permite un tamaño de píxel más pequeño, así como en circuitos de radiofrecuencia de teléfonos inteligentes. También abre nuevas puertas a la integración 3D.
epitaxia
Soitec tiene experiencia en epitaxia en materiales III-IV en los siguientes campos: epitaxia de haz molecular , epitaxia metalorgánica en fase vapor y epitaxia en fase vapor de hidruro. La empresa fabrica obleas de arseniuro de galio (GaAs) y nitruro de galio (GaN) para desarrollar y fabricar sistemas semiconductores compuestos.
Estos materiales se utilizan en Wi-Fi y dispositivos electrónicos de alta frecuencia (telecomunicaciones móviles, redes de infraestructuras, comunicaciones por satélite, redes de fibra óptica y detección de radares), así como en sistemas optoelectrónicos y de gestión energética, como los LED.
Ampliaciones de capital
Soitec ha llevado a cabo tres ampliaciones de capital:
- El primero en julio de 2011 para financiar inversiones, especialmente para el desarrollo de sus negocios de energía solar y LED.
- El segundo, en julio de 2013, para contribuir a la refinanciación de los bonos convertibles y/o canjeables en acciones nuevas o existentes (“OCEANE”) con vencimiento en 2014 y fortalecer la estructura financiera de la empresa. Además, Soitec abrió otra emisión de bonos en septiembre de 2013.
- El tercero, en junio de 2014, para reforzar el perfil financiero de Soitec y su posición de caja y apoyar la producción industrial en masa de sustratos FD-SOI.
Referencias
- ^ "Soitec - Comunicados de prensa financieros". www.soitec.com . Consultado el 13 de noviembre de 2015 .
- ^ "Soitec lanza el chantier de sa nouvelle usine de semiconductores à Grenoble". BFM NEGOCIOS (en francés) . Consultado el 6 de octubre de 2022 .
- ^ "Soitec se expande al mercado de la energía solar de rápido crecimiento con la adquisición [sic] de Concentrix Solar". Archivado desde el original el 1 de marzo de 2010 . Consultado el 12 de diciembre de 2009 .
- ^ "Soitec renunciará a la CPV solar". Mundo de las energías renovables. 20 de enero de 2015 . Consultado el 4 de febrero de 2019 .
- ^ "CPV Hopeful Soitec sale del negocio solar". Medios de tecnología verde. 25 de enero de 2015 . Consultado el 4 de febrero de 2019 .
- ^ "Des ions et des hommes" (Iones y humanos), sitio web de Leti, 29 de marzo de 2013
- ^ Patente n°US5374564
enlaces externos
