Transistores HEMT
El efecto resultante es la creación de una capa muy fina y con mucha concentración de electrones conductores con muy alta movilidad, dando al canal una muy baja resistividad.
A esta capa se la llama gas de electrones bidimensional.
De esta manera las moléculas de cada uno de los materiales casan, sean concordantes en la unión eliminando las discontinuidades que podría haber en dicha unión y permitiendo que los electrones no queden atrapados en ellas lo que reduciría su rendimiento.
Esta técnica permite la construcción de transistores con mayores diferencias de bandas prohibidas que en los transistores HEMT normales, dándoles mayores rendimientos.
Los transistores construidos de esta manera se llaman mHEMT (acrónimo del inglés: metamorphic HEMT).
