El transistor bipolar de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés insulated-gate bipolar transistor) es un dispositivo semiconductor que se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia.Los transistores IGBT han permitido desarrollos que no habían sido viables hasta entonces, en particular en los variadores de frecuencia así como en las aplicaciones en máquinas eléctricas, convertidores de potencia, domótica y Sistemas de Alimentación Ininterrumpida, entre otras aplicaciones.[1][2] Este modo de operación fue reportado experimentalmente por vez primera en 1978 en un rectificador controlado de silicio (SCR) por los estadounidenses Brad W. Scharf y James D. Plummer, quienes no persiguieron la comercialización de sus ideas sobre el dispositivo.[7] En la patente se afirmó que «ninguna acción de tiristores se produce en todas las condiciones de funcionamiento del dispositivo».Este es un dispositivo para la conmutación en sistemas de alta tensión.
