Puerta metálica

[1]​ Utilizaban silicio como material del canal y una puerta de aluminio no autoalineada.

Se utilizó un material llamado polisilicio (silicio policristalino, altamente dopado con donantes o aceptores para reducir su resistencia eléctrica) para sustituir al aluminio.

El polisilicio puede depositarse fácilmente mediante deposición química en fase vapor (CVD) y tolera los pasos de fabricación posteriores que implican temperaturas extremadamente altas (superiores a 900-1000 °C), cuando el metal no lo hacía.

[3]​[4]​En particular, cuando se utiliza en una oblea de silicio con una orientación cristalina < 1 1 1 >, la aleación excesiva del aluminio (por los prolongados pasos de procesamiento a alta temperatura) con el silicio subyacente puede crear un cortocircuito entre las áreas de fuente o drenaje del FET difundidas bajo el aluminio y a través de la unión metalúrgica en el sustrato subyacente, lo que provoca fallos irreparables del circuito.

Gracias a esta solución, se puede mejorar la capacidad de deformación en el canal (por la puerta metálica).