[5][6] Samsung anunció más tarde que los primeros productos serían chips de 1,35 V y 16 Gbit/s.
[12] SK Hynix anunció que sus productos GDDR6 se lanzarían a principios de 2018.
[4][13] SK Hynix anunció en abril de 2017 que sus chips GDDR6 se producirían en un proceso de 21 nm y tendrían un voltaje un 10 % más bajo que GDDR5.
[17] La memoria GDDR6 de Samsung Electronics también se utiliza para la serie Quadro RTX basada en Turing.
[21] GDDR6X ofrece un mayor ancho de banda por pin entre 19 y 21 Gbit/s con señalización PAM4, lo que permite transmitir dos bits por símbolo y reemplaza la codificación anterior NRZ (sin retorno a cero, PAM2) que proporcionaba solo un bit por símbolo, lo que limita el ancho de banda por pin de GDDR6 a 16 Gbit/s.
La señalización PAM4 no es nueva, pero cuesta más implementarla, en parte porque requiere más espacio en los chips y es más propensa a problemas de relación señal-ruido (SNR),[23] que limitan principalmente su uso a redes de alta velocidad (como Ethernet 200G).