Triac

[1]​ Su estructura interna se asemeja en cierto modo a la disposición que formarían dos SCR en direcciones opuestas.

El disparo del TRIAC se realiza aplicando una corriente al electrodo de puerta.

En particular, TRIAC siempre tiene una pequeña corriente que fluye directamente desde la puerta a MT1 a través del silicio de dopaje tipo p sin pasar por la unión p-n entre la base y el emisor del transistor NPN equivalente.

La operación del Cuadrante 2 ocurre cuando la puerta es negativa y MT2 es positiva con respecto a MT1.

A medida que aumenta la corriente en la puerta, el potencial del lado izquierdo del silicio p bajo la puerta se eleva hacia MT1, ya que la diferencia de potencial entre la puerta y MT2 tiende a bajar: esto establece una corriente entre el lado izquierdo y el derecho del silicio p, que a su vez activa el transistor NPN bajo el terminal MT1 y como consecuencia también el transistor PNP entre MT2 y el lado derecho del p-silicio superior.

Así, al final, la estructura que es atravesada por la mayor parte de la corriente es la misma que la operación de cuadrante-I La operación del Cuadrante 3 ocurre cuando la puerta y MT2 son negativas con respecto a MT1.

En la primera fase, la unión pn entre el terminal MT1 y la puerta se polariza hacia delante (paso 1).

Algunos de estos electrones no se recombinan y escapan a la región n subyacente (etapa 2).

A medida que la corriente fluye desde la capa p bajo la puerta en la capa n bajo MT1, se inyectan portadores minoritarios en forma de electrones libres en la región p algunos de ellos se recogen por la unión np subyacente y pasan a la unión contigua n-región sin recombinar.