Transistor de aleación

Se diferencia en que, a medida que el monocristal va creciendo se introducen impurezas donantes en el crisol para convertir el germanio tipo p en tipo n para la base.

Cuando se tiene el grosor de base necesario, se añaden más impurezas aceptoras para volver nuevamente a germanio tipo p. El monocristal así obtenido se corta, primero en rodajas perpendiculares al plano de la base, y después cada una de estas rodajas para formar los transistores individuales.

La ventaja de este método es que permitía crear regiones de base muy delgadas.

Como es la concentración de impurazas la que define le región de base, la elección del dopante es vital y no debe difundirse en el germanio, ya que este efecto cortocircuita la base inutilizando el transistor.

Por ello los primeros modelos tenían una base gruesa.