Nitruro de indio

El nitruro de indio (InN) es un material semiconductor con una pequeña banda prohibida que lo hace potencialmente útil para aplicaciones en células fotoeléctricas y electrónica de alta velocidad[1]​ La banda prohibida del InN ha sido ahora establecida como ~0.7 eV pero depende de la temperatura[2]​ (el valor anterior es 1.97 eV).

[3]​ La masa efectiva del electrón ha sido recientemente determinada usando mediciones con altos campos magnéticos [4]​[5]​ como m*=0.055 m0.

En aleación con el nitruro de galio (GaN) forma el sistema ternario nitruro de galio-indio (InGaN) que tiene una banda prohibida directa desde el intervalo infrarrojo (0.65eV) hasta el ultravioleta (3.4eV)