Memoria de alto ancho de banda

La tecnología HBM es similar en principio pero incompatible con la interfaz Hybrid Memory Cube desarrollada por Micron Technology.

La mayor cantidad de conexiones a la memoria, en relación con DDR4 o GDDR5, requirió un nuevo método para conectar la memoria HBM a la GPU (u otro procesador).

Este intermediador tiene la ventaja adicional de requerir que la memoria y el procesador estén físicamente cerca, disminuyendo las rutas de memoria.

La DRAM de HBM utiliza un reloj diferencial de 500 MHz CK_t / CK_c (donde el sufijo "_t" indica el componente "verdadero" o "positivo" del par diferencial, y "_c" representa el "complementario").

Se prevé que HBM2 sea especialmente útil para aplicaciones de consumo sensibles al rendimiento, como la realidad virtual.

[15]​ La especificación oficial ahora admite hasta 307 GB / s por pila (velocidad de datos efectiva de 2,5 Tbit / s), aunque los productos que funcionan a esta velocidad ya estaban disponibles.

[19]​ A fines de 2020, Micron reveló que el estándar HBM2E se actualizaría y, junto con eso, dieron a conocer el próximo estándar conocido como HBMnext.

Esta nueva VRAM llegará al mercado en el cuarto trimestre de 2022.

Samsung afirma que esto ofrecerá el doble de rendimiento del sistema y reducirá el consumo de energía en más del 70 % sin requerir ningún cambio de hardware o software en el resto del sistema.