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Alf Adams

Alfred ("Alf") Rodney Adams FRS (nacido en 1939 [3] [4] ) es un físico británico que inventó el láser de pozo cuántico de capa tensa . [5] La mayoría de los hogares modernos tendrán varios de estos dispositivos en sus hogares en todo tipo de equipos electrónicos. [6] [7] [8]

Se desempeñó como Profesor Distinguido de Física en la Universidad de Surrey , donde dirigió el Grupo de Investigación de Materiales y Dispositivos Optoelectrónicos. Actualmente está jubilado y ocupa el cargo de profesor emérito. Recibió la Medalla y el Premio Duddell en 1995 y fue elegido miembro de la Royal Society en 1996. En 2014 recibió el Premio Rank en Optoelectrónica por su trabajo pionero en estructuras láser de capa tensa.

Temprana edad y educación

Adams nació en una familia no académica. Su abuela había muerto de tuberculosis y su padre nació con tuberculosis, por lo que fue excusado de la escuela por motivos médicos, antes de trabajar como zapatero , boxeador y propietario de un gimnasio. La madre de Adams dejó la escuela a la edad de 12 años. Adams fue evacuado de Hadleigh, Essex durante el bombardeo de la Segunda Guerra Mundial . Después de tomar su examen de once años, asistió a la escuela técnica local donde representó al sudeste de Essex tanto en fútbol como en cricket. [2]

Asistió a la Universidad de Leicester para estudiar física, en parte porque no tenía las calificaciones en idiomas extranjeros que exigen la mayoría de las otras universidades. También completó su doctorado en Leicester con el profesor Walter Eric Spear sobre sistemas cristalinos ortorrómbicos , antes de realizar una investigación postdoctoral en Física en el Instituto de Tecnología de Karlsruhe en Alemania, donde conoció y se casó con su esposa Helga. [2]

Carrera

De regreso a Gran Bretaña, en la Universidad de Surrey, llevó a cabo una investigación en microondas utilizando cristales de arseniuro de galio a alta presión. En 1980 se tomó un año sabático para trabajar en láseres semiconductores en el Instituto Tecnológico de Tokio, en Japón. [2]

Luego regresó a la Universidad de Surrey para continuar con la investigación. Mientras caminaba con su esposa Helga por la playa de Bournemouth, se dio cuenta de que al forzar los cristales semiconductores podía alterar la propensión de los electrones a pasar de órbitas de baja energía a órbitas de alta energía, y viceversa, transformando así la eficiencia de la producción de luz láser. La génesis del láser de capa tensa (también conocido como láser de pozo cuántico tenso). No patentó la idea y, por lo tanto, no obtuvo ningún beneficio financiero de una tecnología que se utiliza prácticamente en todos los hogares del mundo. [2]

Honores y premios

En 1995 recibió la Medalla y el Premio Duddell y en 1996 fue elegido miembro de la Royal Society . [2] Su nominación para la Royal Society dice:

Distinguido por su trabajo pionero en la aplicación de técnicas de alta presión al estudio de materiales semiconductores , el profesor Adams ha hecho mucho para promover el uso de la deformación como una variable importante en la comprensión de la física básica de los dispositivos. Sus contribuciones incluyen la primera demostración del ordenamiento Gamma-LX de los mínimos de la banda de conducción en GaAs , las primeras observaciones directas de la dispersión por el potencial de la celda central de impurezas, la propuesta y confirmación experimental de la absorción de la banda de intervaloncia como un importante mecanismo de pérdida en semiconductores. láseres y la predicción de que la corriente umbral en un láser de pozo cuántico se puede reducir considerablemente si los pozos crecen en un estado de tensión de compresión. Estas últimas ideas se están aplicando vigorosamente en todo el mundo, donde están dando lugar a láseres con un rendimiento mucho mayor. [1]

Desde su jubilación de la Universidad de Surrey ocupa el cargo de profesor emérito .

En 2014 recibió el Premio Rank en Optoelectrónica  [ru] por su trabajo pionero en estructuras láser de capa tensa.

En marzo de 2014 fue el tema del programa de BBC Radio 4 , The Life Scientific del profesor Jim Al-Khalili [2].

Referencias

  1. ^ ab "EC/1996/01: Adams, Alfred Rodney: Catálogo de biblioteca y archivo". Londres: La Royal Society. Archivado desde el original el 27 de marzo de 2014 . Consultado el 26 de marzo de 2014 .
  2. ^ abcdefg BBC Radio 4, The Life Scientific. Perfil de Alf Adams
  3. ^ ab "ADAMS, profesor Alfred Rodney". Quién es quién 2014, A & C Black, un sello de Bloomsbury Publishing plc, 2014; edición en línea, Oxford University Press .(requiere suscripción)
  4. ^ Universidad Tecnológica de Chipre [ enlace muerto permanente ] , anuncia una conferencia que Adams dará el 4 de febrero de 2011. Contiene más detalles biográficos.
  5. ^ "Un catalizador para nuestro mundo digital: láseres de pozos cuánticos tensos: estudio de caso completo". SET al cuadrado . Universidades de Bath, Bristol, Exetor, Southampton y Surray. Archivado desde el original el 3 de abril de 2015 . Consultado el 2 de abril de 2015 .
  6. ^ O'Reilly, EP; Adams, AR (1994). "Ingeniería de estructura de bandas en láseres semiconductores tensos". Revista IEEE de Electrónica Cuántica . 30 (2): 366. Código bibliográfico : 1994IJQE...30..366O. doi : 10.1109/3.283784.
  7. ^ Adams, AR; Asada, M.; Suematsu, Y.; Arai, S. (1980). "La dependencia de la temperatura de la eficiencia y la corriente umbral de los láseres In1-xGaxAsyP1-y relacionados con la absorción de la banda de intervalo". Revista Japonesa de Física Aplicada . 19 (10): L621. Código Bib : 1980JaJAP..19L.621A. doi :10.1143/JJAP.19.L621. S2CID  93124735.
  8. ^ Fehse, R.; Tomic, S.; Adams, AR; Sweeney, SJ; O'Reilly, EP; Andreev, A.; Riechert, H. (2002). "Un estudio cuantitativo de procesos de recombinación radiativos, Auger y relacionados con defectos en láseres de pozo cuántico basados ​​en GaInNA de 1,3 μm". Revista IEEE de temas seleccionados en electrónica cuántica . 8 (4): 801. Código bibliográfico : 2002IJSTQ...8..801F. doi :10.1109/JSTQE.2002.801684.

enlaces externos