Los módems Qualcomm Snapdragon son una serie de módems 4G LTE , LTE Advanced , LTE Advanced Pro y 5G NR que se encuentran en muchos teléfonos, tabletas, computadoras portátiles, relojes e incluso automóviles.
Qualcomm Gobi
La serie Qualcomm Gobi era su marca de módem antes de cambiar a la serie X. [1] [2]
Serie X 4G de Qualcomm
Los módems Qualcomm Snapdragon de la serie X son la línea actual de módems 4G LTE. [3]
Snapdragon X5 LTE
- Tecnología LTE: LTE FDD, Tecnología celular: WCDMA (3C-HSDPA, DC-HSUPA), WCDMA (DC-HSDPA, HSUPA), WCDMA (DC-HSDPA, DC-HSUPA), TD-SCDMA, CDMA 1x, EV-DO, GSM/EDGE
- LTE de enlace descendente: LTE categoría 4 (150 Mbit/s). Agregación de portadora de 2 x 20 MHz. Hasta 64-QAM
- LTE de enlace ascendente: LTE categoría 4 (50 Mbit/s). Agregación de portadora 1x20 MHz. Hasta 16-QAM
- Chipsets: Módem Snapdragon X5 LTE, procesador Snapdragon 616, procesador Snapdragon 415, procesador Snapdragon 412 y procesador Snapdragon 212
Snapdragon X6 LTE
- Tecnología LTE: LTE FDD, LTE TDD, LTE Broadcast [4]
- Tecnología celular: WCDMA (DC-HSDPA, DC-HSUPA), TD-SCDMA, CDMA 1x, EV-DO, GSM/EDGE
- LTE de enlace descendente: LTE categoría 4 (150 Mbit/s). Agregación de portadora de 2 x 20 MHz. Hasta 64-QAM
- LTE de enlace ascendente: LTE categoría 5 (75 Mbit/s). Agregación de portadora 1x20 MHz. Hasta 64-QAM
- Conjuntos de chips: procesador Snapdragon 430, plataforma móvil Snapdragon 429 y plataforma móvil Snapdragon 439
Snapdragon X7 LTE
- Tecnología LTE: LTE FDD, LTE TDD, LTE Broadcast [5]
- Tecnología celular: WCDMA (3C-HSDPA, DC-HSUPA), WCDMA (DC-HSDPA, HSUPA), WCDMA (DC-HSDPA, DC-HSUPA), TD-SCDMA, CDMA 1x, EV-DO, GSM/EDGE
- LTE de enlace descendente: LTE categoría 6 (300 Mbit/s). Agregación de portadora de 2 x 20 MHz. Hasta 64-QAM
- LTE de enlace ascendente: LTE categoría 4 (50 Mbit/s). Agregación de portadora 1x20 MHz. Hasta 16-QAM
- Conjuntos de chips: Módem Snapdragon X7 LTE
El primer módem Qualcomm con tipo de enlace entre chips PCIe . [6]
Snapdragon X8 LTE
- Tecnología LTE: LTE FDD, LTE TDD, LTE Broadcast [7]
- Tecnología celular: WCDMA (DB-DC-HSDPA, DC-HSUPA), TD-SCDMA, CDMA 1x, EV-DO, GSM/EDGE
- LTE de enlace descendente: LTE categoría 6 (300 Mbit/s). Agregación de portadora de 2 x 20 MHz. Hasta 64-QAM
- LTE de enlace ascendente: LTE categoría 6 (100 Mbit/s). Agregación de portadora de 2 x 20 MHz. Hasta 16-QAM
- Chipsets: procesador Snapdragon 617, procesador Snapdragon 650 y procesador Snapdragon 652
Snapdragon X9 LTE
- Tecnología LTE: LTE FDD, LTE TDD, LTE Broadcast [8]
- Tecnología celular: WCDMA (DB-DC-HSDPA, DC-HSUPA), TD-SCDMA, CDMA 1x, EV-DO, GSM/EDGE
- LTE de enlace descendente: LTE categoría 7 (300 Mbit/s). Agregación de portadora de 2 x 20 MHz. Hasta 64-QAM
- LTE de enlace ascendente: LTE categoría 13 (150 Mbit/s). Agregación de portadora de 2 x 20 MHz. Hasta 64-QAM
- Conjuntos de chips: procesador Snapdragon 625, procesador Snapdragon 626, procesador Snapdragon 435, procesador Snapdragon 427, plataforma móvil Snapdragon 450 y plataforma móvil Snapdragon 653
Snapdragon X10 LTE
- Tecnología LTE: LTE FDD, LTE TDD, LTE Broadcast [9]
- Tecnología celular: WCDMA (DB-DC-HSDPA, DC-HSUPA), TD-SCDMA, CDMA 1x, EV-DO, GSM/EDGE
- LTE de enlace descendente: LTE categoría 9 (450 Mbit/s). Agregación de portadora de 3 x 20 MHz. Hasta 64-QAM
- LTE de enlace ascendente: LTE categoría 4 (50 Mbit/s). Agregación de portadora 1x20 MHz. Hasta 16-QAM
- Chipsets: procesador Snapdragon 810 y procesador Snapdragon 808
Snapdragon X12 LTE
- Tecnología LTE: LTE FDD, LTE TDD, LTE-U, LWA, LTE Broadcast [10]
- Tecnología celular: WCDMA (DB-DC-HSDPA, DC-HSUPA), TD-SCDMA, CDMA 1x, EV-DO, GSM/EDGE
- LTE de enlace descendente: LTE categoría 12 (600 Mbit/s). Agregación de portadoras de 3 x 20 MHz. Máximo de 6 transmisiones espaciales. Hasta 256-QAM. Hasta 4x4 MIMO en una portadora
- LTE de enlace ascendente: LTE categoría 13 (150 Mbit/s). Agregación de portadora de 2 x 20 MHz. Hasta 64-QAM
- Proceso LPP de 14 nm de Samsung
- Conjuntos de chips: módem Snapdragon X12 LTE, procesador Snapdragon 820/821, plataforma móvil Snapdragon 660, plataforma móvil Snapdragon 630, plataforma móvil Snapdragon 636, plataforma móvil Snapdragon 670, plataforma móvil Snapdragon 675, plataforma móvil Snapdragon 665, plataforma móvil Snapdragon 678
Snapdragon X15 LTE
- Tecnología LTE: LTE FDD, LTE TDD, LAA, LTE Broadcast
- Tecnología celular: WCDMA (DB-DC-HSDPA, DC-HSUPA), TD-SCDMA, CDMA 1x, EV-DO, GSM/EDGE
- LTE de enlace descendente: LTE categoría 15 (800 Mbit/s). Agregación de portadoras de 3 x 20 MHz. Hasta 256-QAM. Hasta 4 x 4 MIMO en dos portadoras
- LTE de enlace ascendente: LTE categoría 13 (150 Mbit/s). Agregación de portadora de 2 x 20 MHz. Hasta 64-QAM
- Conjuntos de chips: Módem Snapdragon X15 LTE, Snapdragon 732G, Snapdragon 730(G), Snapdragon 720G, Snapdragon 712, Snapdragon 710
Snapdragon X16 LTE
- Tecnología LTE: LTE FDD, LTE TDD, LAA, LTE Broadcast [11]
- Tecnología celular: WCDMA (DB-DC-HSDPA, DC-HSUPA), TD-SCDMA, CDMA 1x, EV-DO, GSM/EDGE
- LTE de enlace descendente: LTE categoría 16 (1000 Mbit/s). Agregación de portadoras de 4 x 20 MHz. Máximo de 10 transmisiones espaciales. Hasta 256-QAM. Hasta 4 x 4 MIMO en dos portadoras
- LTE de enlace ascendente: LTE categoría 13 (150 Mbit/s). Agregación de portadora de 2 x 20 MHz. Hasta 64-QAM
- Conjuntos de chips: módem Snapdragon X16 LTE, procesador Snapdragon 835
Snapdragon X20 LTE
- Tecnología LTE: LTE FDD, LTE TDD incluyendo soporte CBRS, LAA, LTE Broadcast [12]
- Tecnología celular: WCDMA (DB-DC-HSDPA, DC-HSUPA), TD-SCDMA, CDMA 1x, EV-DO, GSM/EDGE
- LTE de enlace descendente: LTE categoría 18 (1200 Mbit/s). Agregación de portadoras de 5 x 20 MHz. Máximo de 12 transmisiones espaciales. Hasta 256-QAM. Hasta 4x4 MIMO en tres portadoras
- LTE de enlace ascendente: LTE categoría 13 (150 Mbit/s). Agregación de portadora de 2 x 20 MHz. Hasta 64-QAM
- Proceso LPE de 10 nm de Samsung
- Conjuntos de chips: módem Snapdragon X20 LTE, plataforma móvil Snapdragon 845
Snapdragon X24 LTE
- Tecnología LTE: LTE FDD, LTE TDD incluyendo soporte CBRS, LAA, LTE Broadcast [13]
- Tecnología celular: WCDMA (DB-DC-HSDPA, DC-HSUPA), TD-SCDMA, CDMA 1x, EV-DO, GSM/EDGE
- LTE de enlace descendente: LTE categoría 20 (2000 Mbit/s). Agregación de portadoras de 7 x 20 MHz. Máximo de 20 transmisiones espaciales. Hasta 256-QAM. Hasta 4x4 MIMO en cinco portadoras, Full-Dimension MIMO (FD-MIMO)
- LTE de enlace ascendente: LTE categoría 13 (316 Mbit/s). Agregación de portadora de 3 x 20 MHz. Hasta 256-QAM
- Proceso FinFET de 7 nm de TSMC
- Conjuntos de chips: módem Snapdragon X24 LTE, plataforma móvil Snapdragon 855, Snapdragon 8cx
Tabla de módems Snapdragon 4G serie X
Serie X 5G de Qualcomm
Snapdragon X50 5G
- Tecnología 5G: 5G NR NSA [18]
- Espectro 5G: ondas milimétricas, sub-6 GHz
- Modos 5G: TDD, NSA (no autónomo)
- Especificaciones de 5G mmWave: ancho de banda de 800 MHz, 8 portadoras, MIMO 2x2
- Especificaciones 5G sub-6 GHz: ancho de banda de 100 MHz, MIMO 4x4
- Características de mmWave: Polarización de doble capa en enlace descendente y ascendente, Formación de haz, Dirección de haz, Seguimiento de haz
- Velocidad máxima de descarga 5G: 5000 Mbit/s
- Proceso FinFET de 10 nm de Samsung
- Conjuntos de chips: Módem Snapdragon X50 5G
Snapdragon X55 5G
- Tecnología 5G: 5G NR FDD, 5G NR TDD, SA, NSA [19]
- Espectro 5G: mmWave, sub-6 GHz, uso compartido del espectro 5G/4G
- Modos 5G: FDD, TDD, SA (independiente), NSA (no independiente)
- Especificaciones de 5G mmWave: ancho de banda de 800 MHz, 8 portadoras, MIMO 2x2
- Especificaciones 5G sub-6 GHz: ancho de banda de 200 MHz, MIMO 4x4
- Velocidad máxima de descarga 5G: 7500 Mbit/s
- Velocidad máxima de carga 5G: 3000 Mbit/s
- 5G RF: seguimiento de envolvente de 100 MHz, sintonización de antena adaptativa
- Tecnologías de mejora del rendimiento: Qualcomm 5G PowerSave, Qualcomm Signal Boost, tecnología Qualcomm Smart Transmit, Qualcomm RF Gaming Mode Boost, Qualcomm Wideband Envelope Tracking
- Tecnología LTE: LTE FDD, LTE TDD incluyendo soporte CBRS, LAA, LTE Broadcast
- Tecnología celular: WCDMA (DB-DC-HSDPA, DC-HSUPA), TD-SCDMA, CDMA 1x, EV-DO, GSM/EDGE
- LTE de enlace descendente: LTE categoría 22 (2500 Mbit/s). Agregación de portadoras de 7 x 20 MHz. Máximo de 24 transmisiones espaciales. Hasta 1024—QAM. Hasta 4x4 MIMO en cinco portadoras, Full-Dimension MIMO (FD-MIMO)
- LTE de enlace ascendente: LTE categoría 13 (316 Mbit/s). Agregación de portadora de 3 x 20 MHz. Hasta 256-QAM
- Proceso FinFET de 7 nm de TSMC
- Conjuntos de chips: Módem Snapdragon X55 5G
Snapdragon X60 5G
- Tecnología 5G: 5G NR [20] TDD, FDD, SA, NSA
- Espectro 5G: agregación de portadoras sub-6 de mmWave, agregación de portadoras sub-6 (FDD-TDD, FDD-FDD, TDD-TDD), uso compartido dinámico del espectro (DSS), mmWave, sub-6 GHz
- Modos 5G: FDD, TDD, SA (independiente), NSA (no independiente)
- Especificaciones de 5G mmWave: ancho de banda de 800 MHz, 8 portadoras, MIMO 2x2
- Especificaciones 5G sub-6 GHz: ancho de banda de 200 MHz, MIMO 4x4
- Velocidad máxima de descarga 5G: 7,5 Gbit/s
- Velocidad máxima de carga 5G: 3 Gbit/s
- Tecnologías de mejora del rendimiento: Qualcomm 5G PowerSave, Qualcomm Signal Boost, tecnología Qualcomm Smart Transmit, Qualcomm RF Gaming Mode Boost, Qualcomm Wideband Envelope Tracking
- SIM 5G: Compatibilidad con SIM dual 5G
- Tecnología celular: 5G NR, LTE, WCDMA (DB-DC-HSDPA, DC-HSUPA), TD-SCDMA, CDMA 1x, EV-DO, GSM/EDGE
- Tecnología LTE: LTE FDD, LTE TDD incluyendo soporte CBRS, LAA, LTE Broadcast
- Proceso FinFET de 5 nm (5LPE) de Samsung [21]
Snapdragon X65 5G
- Tecnología 5G: 5G NR [22] TDD, FDD, SA, NSA
- Tecnología celular: 5G NR, LTE, LAA, WCDMA (DB-DC-HSDPA), TD-SCDMA, CDMA 1x, GSM/EDGE, CBRS
- Espectro 5G: agregación de ondas milimétricas sub6, agregación de portadoras sub6 (FDD-TDD, FDD-FDD, TDD-TDD), compatibilidad con FDD-TDD para CA de enlace ascendente, uso compartido dinámico del espectro (DSS)
- Modos 5G: FDD, TDD, SA (independiente), NSA (no independiente)
- Especificaciones de 5G mmWave: ancho de banda de 1000 MHz, 10 portadoras, MIMO 2x2
- Especificaciones 5G sub-6 GHz: ancho de banda de 300 MHz, 256-QAM, MIMO 4x4
- Velocidad máxima de descarga 5G: 10 Gbit/s
- Compatibilidad con múltiples SIM globales 5G
- Compatibilidad con banda 5G global, incluidas las nuevas bandas n259 (41 GHz), n70 y n53
- Proceso Samsung 4 nm FintFET (4LPE) o proceso TSMC 4 nm.
Snapdragon X70 5G
- Tecnología 5G: 5G NR [23] TDD, FDD, SA, NSA
- Tecnología celular: 5G NR, LTE, LAA, WCDMA, TD-SCDMA, GSM/Edge, CBRS, uso compartido dinámico del espectro (DSS), EN-DC, NR-DC, mmWave, sub-6 GHz
- Espectro 5G: agregación de ondas milimétricas sub6, agregación de portadoras sub6 (FDD-TDD, FDD-FDD, TDD-TDD), compatibilidad con FDD-TDD para CA de enlace ascendente, uso compartido dinámico del espectro (DSS)
- Modos 5G: FDD, TDD, SA (independiente), NSA (no independiente)
- Especificaciones de 5G mmWave: ancho de banda de 800 MHz, 8 portadoras
- Especificaciones 5G sub-6 GHz: ancho de banda de 300 MHz, 4 operadores
- Velocidad máxima de descarga 5G: 10 Gbit/s
- Velocidad máxima de carga 5G: 3,5 Gbit/s
- 5G Global Multi-SIM que incluye compatibilidad con Dual-SIM Dual-Active (Qualcomm DSDA Gen 1)
Snapdragon X72 5G
- Tecnología 5G: 5G NR [24] TDD, FDD, SA, NSA
- Tecnología celular: 5G NR, LTE, LAA, WCDMA, TD-SCDMA, GSM/Edge, CBRS, uso compartido dinámico del espectro (DSS), EN-DC, NR-DC, mmWave, sub-6 GHz
- Espectro 5G: agregación de ondas milimétricas sub6, agregación de portadoras sub6 (FDD-TDD, FDD-FDD, TDD-TDD), compatibilidad con FDD-TDD para CA de enlace ascendente, uso compartido dinámico del espectro (DSS)
- Especificaciones de 5G mmWave: ancho de banda de 400 MHz
- Especificaciones 5G sub-6 GHz: ancho de banda de 200 MHz
- Velocidad máxima de descarga: 4,4 Gbit/s
- Velocidad máxima de subida: 3,5 Gbit/s
- 5G Global Multi-SIM que incluye compatibilidad con Dual-SIM Dual-Active Gen 2 (Qualcomm DSDA Gen 2)
- Procesador Qualcomm 5G AI Gen 2 con acelerador tensor dedicado, Qualcomm 5G AI Suite Gen2
Snapdragon X75 5G
- Tecnología 5G: 5G NR [25] TDD, FDD, SA, NSA
- Tecnología celular: 5G NR, LTE, LAA, WCDMA, TD-SCDMA, GSM/Edge, CBRS, uso compartido dinámico del espectro (DSS), EN-DC, NR-DC, mmWave, sub-6 GHz
- Espectro 5G: agregación de ondas milimétricas sub-6, agregación de portadoras sub-6
(FDD-TDD, FDD-FDD, TDD-TDD), compatibilidad con FDD-TDD para CA de enlace ascendente, uso compartido dinámico del espectro (DSS)
- Modos 5G: FDD, TDD, SA (independiente), NSA (no independiente)
- Especificaciones de 5G mmWave: ancho de banda de 1000 MHz, 10 portadoras
- Especificaciones 5G sub-6 GHz: ancho de banda de 300 MHz, 5 operadores
- Velocidad máxima de descarga 5G: 10 Gbit/s
- Velocidad máxima de carga 5G: 3,5 Gbit/s
- 5G Global Multi-SIM que incluye compatibilidad con Dual-SIM Dual-Active Gen 2 (Qualcomm DSDA Gen 2)
- Procesador Qualcomm 5G AI Gen 2 con acelerador tensor dedicado, Qualcomm 5G AI Suite Gen2
Tabla de módems Snapdragon 5G de la serie X
Otros módems Qualcomm
9205 LTE
- CPU: ARM Cortex-A7 Hasta 0,8 GHz [40]
- Tecnología LTE: Rel.14 LTE Cat-M1, Rel.14 LTE Cat-NB2
- Tecnología celular: Rel.12 EGPRS MSC12
- Enlace descendente LTE: 0,588 Mbit/s (Rel.14 Cat-M1), 0,127 Mbit/s (Rel.14 Cat-NB2)
- Enlace ascendente LTE: 1,119 Mbit/s (Rel.14 Cat-M1), 0,1585 Mbit/s (Rel.14 Cat-NB2)
MDM9206 IoT
- CPU: ARM Cortex-A7 Hasta 1,3 GHz [41]
- Tecnología LTE: LTE HD-FDD, LTE TDD (Rel.13 LTE Cat-M1, Rel.13 LTE Cat-NB1) [42] [43]
- Tecnología celular: E-GPRS
- Enlace descendente LTE: 0,300 Mbit/s (Rel.13 Cat-M1), 0,020 Mbit/s (Rel.13 Cat-NB1)
- Enlace ascendente LTE: 0,375 Mbit/s (Rel.13 Cat-M1), 0,060 Mbit/s (Rel.13 Cat-NB1)
MDM9207-1 Internet de las cosas
- CPU: ARM Cortex-A7 Hasta 1,3 GHz [44]
- Tecnología LTE: LTE FDD, LTE TDD
- Tecnología celular: DC-HSPA, TD-SCDMA, GSM
- Enlace descendente LTE: 10 Mbit/s
- Enlace ascendente LTE: 5 Mbit/s
FSM100xx 5G
- Tecnología 5G: 5G NR [45]
- Espectro 5G: ondas milimétricas, sub-6 GHz
- Proceso de 10 nm
Páginas relacionadas
Plataformas similares
Referencias
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