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Telururo de bismuto

El telururo de bismuto ( Bi 2 Te 3 ) es un polvo gris compuesto de bismuto y telurio , también conocido como telururo de bismuto (III). Es un semiconductor que, cuando se alea con antimonio o selenio , es un material termoeléctrico eficiente para refrigeración o generación de energía portátil. El Bi 2 Te 3 es un aislante topológico y, por lo tanto, presenta propiedades físicas que dependen del espesor.

Propiedades como material termoeléctrico

El telururo de bismuto es un semiconductor de capas de espacio estrecho con una celda unitaria trigonal. La estructura de la banda de valencia y conducción se puede describir como un modelo de múltiples elipsoides con 6 elipsoides de energía constante que están centrados en los planos de reflexión. [4] El Bi 2 Te 3 se escinde fácilmente a lo largo del eje trigonal debido al enlace de Van der Waals entre átomos de telurio vecinos. Debido a esto, los materiales basados ​​en telururo de bismuto utilizados para aplicaciones de generación de energía o refrigeración deben ser policristalinos. Además, el coeficiente de Seebeck del Bi 2 Te 3 en masa se compensa alrededor de la temperatura ambiente, lo que obliga a que los materiales utilizados en los dispositivos de generación de energía sean una aleación de bismuto, antimonio, telurio y selenio. [5]

Recientemente, los investigadores han intentado mejorar la eficiencia de los materiales basados ​​en Bi 2 Te 3 mediante la creación de estructuras en las que se reducen una o más dimensiones, como nanocables o películas delgadas. En uno de esos casos, se demostró que el telururo de bismuto de tipo n tenía un coeficiente de Seebeck mejorado (voltaje por unidad de diferencia de temperatura) de −287 μV/K a 54 °C, [6] Sin embargo, hay que tener en cuenta que el coeficiente de Seebeck y la conductividad eléctrica tienen una contrapartida: un coeficiente de Seebeck más alto da como resultado una menor concentración de portadores y una menor conductividad eléctrica. [7]

En otro caso, los investigadores informan que el telururo de bismuto tiene una alta conductividad eléctrica de 1,1×10 5 S·m/m 2 con una conductividad térmica reticular muy baja de 1,20 W/(m·K), similar al vidrio común . [8]

Propiedades como aislante topológico

El telururo de bismuto es un aislante topológico muy estudiado. Se ha demostrado que sus propiedades físicas cambian con espesores muy reducidos, cuando sus estados superficiales conductores quedan expuestos y aislados. Estas muestras delgadas se obtienen mediante epitaxia o exfoliación mecánica.

Los métodos de crecimiento epitaxial, como la epitaxia de haz molecular y la deposición química en fase de vapor de compuestos organometálicos, son métodos comunes para obtener muestras delgadas de Bi2Te3 . La estequiometría de las muestras obtenidas mediante dichas técnicas puede variar en gran medida entre experimentos, por lo que a menudo se utiliza la espectroscopia Raman para determinar la pureza relativa. Sin embargo, las muestras delgadas de Bi2Te3 son resistentes a la espectroscopia Raman debido a su bajo punto de fusión y a su escasa dispersión del calor. [9]

La estructura cristalina del Bi 2 Te 3 permite la exfoliación mecánica de muestras delgadas mediante la escisión a lo largo del eje trigonal. Este proceso tiene un rendimiento significativamente menor que el crecimiento epitaxial, pero produce muestras sin defectos ni impurezas. De manera similar a la extracción de grafeno de muestras de grafito a granel, esto se hace aplicando y retirando cinta adhesiva de muestras sucesivamente más delgadas. Este procedimiento se ha utilizado para obtener láminas de Bi 2 Te 3 con un espesor de 1 nm. [10] Sin embargo, este proceso puede dejar cantidades significativas de residuos adhesivos en un sustrato estándar de Si/SiO 2 , lo que a su vez oscurece las mediciones de microscopía de fuerza atómica e inhibe la colocación de contactos en el sustrato para fines de prueba. Las técnicas de limpieza comunes, como el plasma de oxígeno, la acetona hirviendo y el alcohol isopropílico , son ineficaces para eliminar los residuos. [11]

Ocurrencia y preparación

La forma mineral de Bi 2 Te 3 es la telurobismutita , que es moderadamente rara. [12] [13] Existen muchos telururos de bismuto naturales de diferente estequiometría , así como compuestos del sistema Bi-Te-S-(Se), como Bi 2 Te 2 S ( tetradimita ). Estos telururos de bismuto son parte del grupo de minerales de la tetradimita. [14]

El telururo de bismuto se puede preparar simplemente sellando polvos mezclados de bismuto y telurio metálico en un tubo de cuarzo al vacío (algo fundamental, ya que una muestra sin sellar o con fugas puede explotar en un horno) y calentándolo a 800 °C en un horno de mufla .

Véase también

Referencias

  1. ^ abcd Haynes, William M., ed. (2011). Manual de química y física del CRC (92.ª edición). Boca Raton, FL: CRC Press . pág. 4.52. ISBN 1-4398-5511-0.
  2. ^ Feutelais, Y.; Legendre, B.; Rodier, N.; Agafonov, V. (1993). "Un estudio de las fases en el sistema bismuto-telurio". Materials Research Bulletin . 28 (6): 591. doi :10.1016/0025-5408(93)90055-I.
  3. ^ abcd Guía de bolsillo del NIOSH sobre peligros químicos. "#0056". Instituto Nacional de Seguridad y Salud Ocupacional (NIOSH).
  4. ^ Caywood, LP; Miller, G. (1970). "Anisotropía de las superficies de energía constante en Bi 2 Te 3 y Bi 2 Se 3 de tipo p a partir de coeficientes galvanomagnéticos". Phys. Rev. B . 2 (8): 3209. Bibcode :1970PhRvB...2.3209C. doi :10.1103/PhysRevB.2.3209.
  5. ^ Satterthwaite, CB; Ure, R. (1957). "Propiedades eléctricas y térmicas de Bi 2 Te 3 ". Phys. Rev . 108 (5): 1164. Bibcode :1957PhRv..108.1164S. doi :10.1103/PhysRev.108.1164.
  6. ^ Tan, J. (2005). "Propiedades termoeléctricas de películas delgadas de telururo de bismuto depositadas por pulverización catódica con magnetrón de radiofrecuencia". En Cane, Carles; Chiao, Jung-Chih; Vidal Verdu, Fernando (eds.). Sensores inteligentes, actuadores y MEMS II . Vol. 5836. págs. 711–718. Código Bibliográfico :2005SPIE.5836..711T. doi :10.1117/12.609819. S2CID  123199126. {{cite book}}: |journal=ignorado ( ayuda )
  7. ^ Goldsmid, HJ; Sheard, AR y Wright, DA (1958). "El rendimiento de las uniones térmicas de telururo de bismuto". Br. J. Appl. Phys . 9 (9): 365. Bibcode :1958BJAP....9..365G. doi :10.1088/0508-3443/9/9/306.
  8. ^ Takeiishi, M.; et al. "Medidas de conductividad térmica de películas delgadas de telururo de bismuto utilizando el método 3 Omega" (PDF) . 27.º Simposio japonés sobre propiedades termofísicas, 2006, Kioto. Archivado desde el original (PDF) el 28 de junio de 2007. Consultado el 6 de junio de 2009 .
  9. ^ Teweldebrhan, D.; Goyal, V.; Balandin, A. A (2010). "Del grafeno al telururo de bismuto: exfoliación mecánica de cristales cuasi-2D para aplicaciones en termoelectricidad y aislantes topológicos". Nano Letters . 10 (12): 1209–18. Bibcode :2010NanoL..10.1209T. doi :10.1021/nl903590b. PMID  20205455.
  10. ^ Teweldebrhan, Desalegne; Balandin, Alexander A. (2010). "Exfoliación "similar al grafeno" de películas atómicamente delgadas de Bi". Transacciones ECS : 103–117. doi :10.1149/1.3485611. S2CID  139017503.
  11. ^ Childres, Isaac; Tian, ​​Jifa; Miotkowski, Ireneusz; Chen, Yong (2013). "Estudios AFM y Raman de materiales aislantes topológicos sujetos a grabado con plasma de argón". Revista filosófica . 93 (6): 681–689. arXiv : 1209.2919 . Código Bibliográfico :2013PMag...93..681C. doi :10.1080/14786435.2012.728009. S2CID  38149843.
  12. ^ "Telurobismutita". Mindat.org . Consultado el 28 de noviembre de 2023 .
  13. ^ Kingsbury, AWG (1965). "Telurbismuto y meneghinita, dos minerales nuevos en Gran Bretaña". Revista mineralógica y revista de la Sociedad Mineralógica . 35 (270): 424–426. Código Bibliográfico :1965MinM...35..424K. doi :10.1180/minmag.1965.035.270.19. ISSN  0369-0148.
  14. ^ "Grupo Tetradymite". Mindat.org . Consultado el 28 de noviembre de 2023 .

Enlaces externos