Memoria reprogramable

Una memoria no volátil es reprogramable cuando su contenido se puede variar después de ser programada.

El primer dispositivo de memoria no volátil fue propuesto por Kahng y Sze en 1967.

Los MIOS se pueden borrar eléctricamente, y son la base de las memorias EAROM (Electrically alterable ROM) La estructura SAMOS (Stacked-gate Avalanche-injection MOS) (Figura 3) proviene de la FAMOS, añadiéndole una segunda puerta.

Esta segunda puerta, además de permitir el borrado eléctrico, facilita la escritura.

Gran Via de les Corts Catalanes 594, 08007 Barcelona (España): Marcombo Ediciones Técnicas 2008. p. 554.