Memoria de línea de retardo

Estas están constituidas por un tubo relleno de mercurio con un transductor, habitualmente piezoeléctrico, en cada extremo.

Por el contrario, la elevada velocidad del sonido en él (1450 m/s) hace que la capacidad de un dispositivo sea menor que si se utilizase aire.

A esto hay que sumarle su elevado precio y su toxicidad.

Leyendo la señal de salida del segundo transductor es posible acceder a los datos almacenados, y alterando adecuadamente la señal inyectada en el primero se pueden modificar estos.

Así, si la señal eléctrica de cada bit dura B segundos y la velocidad de propagación en el medio es V metros/segundo, tenemos que la perturbación de cada bit en el medio ocupa B*V metros; por tanto, una memoria con una longitud de L metros podrá almacenar L/(B*V) bits.