Memoria reprogramable

Una memoria no volátil es reprogramable cuando su contenido se puede variar después de ser programada.

El primer dispositivo de memoria no volátil fue propuesto por Kahng y Sze en 1967.

La estructura MIOS (Metal-Insulator-SiO2-Si) es un transistor MOS con dos capas de dieléctricos distintos en la puerta.

Los MIOS se pueden borrar eléctricamente, y son la base de las memorias EAROM (Electrically alterable ROM) La estructura SAMOS (Stacked-gate Avalanche-injection MOS) (Figura 3) proviene de la FAMOS, añadiéndole una segunda puerta.

Gran Via de les Corts Catalanes 594, 08007 Barcelona (España): Marcombo Ediciones Técnicas 2008. p. 554.