MRAM

La MRAM (RAM magnetorresistiva o magnética) (en inglés: magnetoresistive random-access memory) es un tipo de memoria no volátil que ha estado en desarrollo desde los años 90.

Midiendo la corriente generada, puede calcularse la resistencia y a partir de esta la polaridad del disco escribible.

Además, conforme el tamaño se escala, los campos generados pueden solapar varias celdas con las escrituras falsas resultantes.

La celda contiene ahora un material antiferromagnético en el que la orientación magnética se alterna en la superficie.

Utiliza electrones polarizados (con su momento de spin alineado) para realizar la torsión sobre los dominios magnéticos.

En concreto, si los electrones que fluyen a una capa han de cargar su spin, se genera una fuerza de torsión que se transfiere a la capa próxima.

[2]​ Se sospecha que la celda MRAM clásica sea difícil de producir en gran densidad por la cantidad de corriente necesaria para la escritura, algo que este método evita.

En todo caso, la corriente de escritura es mucho menor que en las otras variantes.

Los condensadores que forman la DRAM pierden su carga con el tiempo si esta no se restablece periódicamente (aproximadamente 1000 veces por segundo, leyendo y reescribiendo sus valores).

El proceso de lectura es comparablemente más costoso, aunque en la práctica la diferencia parece ser muy pequeña.

A diferencia de Flash, MRAM necesita solo un poco más de energía para realizar la escritura y ningún cambio en el voltaje, lo que lleva a un consumo menor con operaciones más rápidas y sin efecto sobre la vida del dispositivo.

La velocidad en memorias DRAM viene limitada por el tiempo que cuesta drenar (en lectura) o almacenar (en escritura) la corriente en las celdas.

[6]​ La diferencia con Flash es mucho más acusada, con rendimientos similares en lectura, pero miles de veces mejor en escritura.

La memoria MRAM no es tan rápida como la SRAM, pero sí se acerca lo suficiente como para resultar competitiva incluso en estos usos para ofrecer capacidades mucho mayores de caché, aunque algo más lenta.

Sin embargo, las tendencias del mercado la han mantenido lejos de alcanzar una utilización generalizada.

Esquema simplificado de una celda MRAM.