A estos dispositivos se les ha dado el nombre genérico "finfets" porque la región fuente / drenaje forma aletas en la superficie del silicio.
Es la base para la fabricación moderna de dispositivos semiconductores nanoelectrónicos.
En 2011, Intel demostró transistores de tres puertas, donde la puerta rodea el canal en tres lados, lo que permite una mayor eficiencia energética y un menor retraso de la puerta, y por lo tanto un mayor rendimiento, sobre los transistores planos.
Los chips producidos comercialmente a 22 nm y menos han utilizado diseños de compuerta FinFET.
La variante "Tri-Gate" de Intel se anunció a 22 nm en 2011 para su microarquitectura Ivy Bridge.