Las generaciones de sensores MEMS representan el progreso logrado en la tecnología de micro sensores y se pueden clasificar de la siguiente manera:
- 1ra Generación
- Elemento sensor MEMS basado principalmente en una estructura de silicio , a veces combinado con amplificación analógica en un microchip . [1]
- 2da Generación
- Elemento sensor MEMS combinado con amplificación analógica y convertidor analógico a digital en un microchip.
- Tercera generación
- Fusión del elemento sensor con amplificación analógica, conversor analógico-digital e inteligencia digital para linealización y compensación de temperatura en un mismo microchip.
- Cuarta generación
- A los elementos de la tercera generación de sensores MEMS se les añaden celdas de memoria para datos de calibración y compensación de temperatura.
Referencias
- ^ Terry, SC; Jerman, JH; Angell, JB (diciembre de 1979). "Un analizador de aire por cromatografía de gases fabricado en una oblea de silicio". IEEE Transactions on Electron Devices . 26 (12): 1880–1886. doi :10.1109/T-ED.1979.19791.
