En la fabricación de dispositivos semiconductores , la tecnología de litografía inversa ( ILT ) es un enfoque para el diseño de fotomáscaras . Básicamente, se trata de un enfoque para resolver un problema de formación de imágenes inversas : calcular las formas de las aberturas en una fotomáscara ("fuente") de modo que la luz que pasa produzca una buena aproximación del patrón deseado ("objetivo") en el material iluminado, normalmente una fotorresistencia . Como tal, se trata como un problema de optimización matemática de un tipo especial, porque normalmente no existe una solución analítica. [1] En los enfoques convencionales conocidos como corrección de proximidad óptica (OPC), se aumenta la forma de un "objetivo" con rectángulos cuidadosamente ajustados para producir una " forma de Manhattan " para la "fuente", como se muestra en la ilustración. El enfoque ILT genera formas curvilíneas para la "fuente", que ofrecen mejores aproximaciones para el "objetivo". [2]
La tecnología ILT se propuso en la década de 1980, pero en ese momento no era práctica debido a la enorme potencia computacional requerida y a las formas "fuente" complicadas, que presentaban dificultades para la verificación ( verificación de reglas de diseño ) y la fabricación. Sin embargo, a fines de la década de 2000, los desarrolladores comenzaron a reconsiderar la tecnología ILT debido a los aumentos significativos en la potencia computacional. [1]