Físico estadounidense de semiconductores
Paul Richman (nacido el 17 de noviembre de 1942) es un físico de semiconductores y autor estadounidense . [1] [2]
Educación
En 1963, Richman estudió en el MIT y se graduó con una licenciatura en Ciencias en ingeniería eléctrica . En 1964, obtuvo una maestría en Ciencias en ingeniería eléctrica de la Universidad de Columbia . [3]
Carrera
En 1971, Richman cofundó Standard Microsystems Corp (SMSC) como una empresa de investigación y desarrollo . [4] [5] Antes de cofundar SMSC, trabajó como físico de semiconductores en General Telephone and Electronics . [6] En 1987, se mudó a Japón con su familia y comenzó una colaboración llamada Standard Microsystems Japan. [4] Entre 1971 y 1999, se desempeñó como director ejecutivo, presidente y presidente de Standard Microsystems. [7] [8] Durante su mandato, SMSC se convirtió en el mayor fabricante de chips en Long Island , e Intel Corp adquirió una participación en la empresa. [4] [9] Newsday lo ha llamado pionero en la industria de los chips de computadora. [4] Introdujo un método para disminuir el tamaño de los chips al acercar los transistores mientras aumentaba las velocidades de operación y, como resultado, los dispositivos funcionan de manera rápida y eficiente. [4]
Como académico, Richman se desempeñó como profesor visitante de ingeniería eléctrica en la Universidad de la Ciudad de Nueva York entre 1974 y 1975 y en la Universidad Estatal de Nueva York en Stony Brook entre 1975 y 1987. [10]
De 1998 a 2002, formó parte del Comité Visitante de Ingeniería Eléctrica y Ciencias de la Computación del Instituto Tecnológico de Massachusetts .
Richman desarrolló y mantuvo la patente básica de la tecnología COPLAMOS, que fue pionera en el uso de estructuras oxidadas localmente y dopadas en campo en circuitos integrados de metal-óxido-semiconductor (MOS). [2] [11]
Premios
- 1978: Premio Anual al Logro de la revista Electronics por sus contribuciones al desarrollo de microchips. [12]
- 1982: Elegido miembro del Instituto de Ingenieros Eléctricos y Electrónicos, IEEE . [13]
- 1998: Premio Harold A. Wheeler del IEEE. [13]
- 2000: Medalla del Tercer Milenio del IEEE. [14]
- 2012: Elegido miembro del Salón de la Fama de la Tecnología de Long Island. [15]
Patentes
- Transistores MOS de tipo de mejora complementaria. [16]
- Método para la fabricación de dispositivos de silicio-óxido de metal. [17]
- Método para establecer selectivamente regiones de diferentes densidades de carga superficial en una oblea de silicio. [18]
- Método de modificación de las características eléctricas de dispositivos MOS mediante implantación de iones. [19]
- Estructura de circuito integrado semiconductor con capa de aislamiento modificada selectivamente. [20]
- Paquete doble en línea de plástico hermético para un circuito integrado de semiconductores. [21]
- Dispositivo de efecto de campo de estado sólido. [22]
- Transistores de efecto de campo de puerta aislada que utilizan un sustrato de alta resistividad. [23]
- Estructura del transistor de efecto de campo MOS con áreas de contacto y compuerta tipo Mesa y uniones selectivamente más profundas. [24]
- Transistor de efecto de campo MOS bipolar. [25]
- Circuito integrado MOS con sustrato que contiene regiones de resistividad formadas selectivamente. [26]
- Método de fabricación de circuitos integrados MOS con compuerta metálica refractaria de alta densidad utilizando la compuerta como máscara de difusión y oxidación selectiva. [27]
- Circuito MOS integrado. [28]
- Procedimiento de fabricación de un dispositivo compuesto, del tipo metal-óxido-semiconductor, electrodo de control de baja resistividad superficial y dispositivo obtenido. [29]
- Estructura del circuito integrado MOS y método para su fabricación. [30]
Referencias
- ^ "SMSC se vende a una empresa de Arizona por 939 millones de dólares". Newsday .
- ^ ab "GENTE DE NEGOCIOS". The New York Times . 4 de julio de 1979 – vía NYTimes.com.
- ^ "Antiguos alumnos de Ingeniería de Columbia — Área metropolitana de la ciudad de Nueva York". alumnius.net .
- ^ abcde Bernstein, James (30 de marzo de 2011). "LA PRIMICIA". Newsday . ProQuest 859030327.
- ^ "Una empresa líder en el sector de chips tropieza". Crain's . 19 de septiembre de 2006.
- ^ "Vender los sueños de la tecnología". The New York Times . ProQuest 120806348.
- ^ "El fundador de SMSC se retira como CEO".
- ^ "Microsistemas estándar". WSJ . ProQuest 398106303.
- ^ "Intel compra participación en el fabricante de chips Hauppauge". ProQuest .
- ^ "Richman dimite de SMSC".
- ^ "Noticias de la región 1". IEEE Spectrum . 17 (1): 110. 1980. doi :10.1109/MSPEC.1980.6330239. ISSN 1939-9340.
- ^ "Premio al Logro 1978" (PDF) . McGraw Hill .
- ^ ab "Sección de Long Island del IEEE: Banquete anual de premios 2015" (PDF) . ieee.li .
- ^ "Ceremonia anual de entrega de premios IEEE 2006" (PDF) . IEEE Long Island . Consultado el 27 de octubre de 2022 .
- ^ "Los nominados al LITHF 2012". stonybrook .
- ^ "Transistores MOS de tipo de mejora complementaria". USPTO .
- ^ "Método para la fabricación de dispositivos de óxido de metal y silicio". USPTO .
- ^ Método para establecer selectivamente regiones de diferentes densidades de carga superficial en una oblea de silicio. USPTO
- ^ Método de modificación de las características eléctricas de los dispositivos MOS mediante implantación de iones. USPTO
- ^ Estructura de circuito integrado de semiconductores con capa de aislamiento modificada selectivamente. USPTO
- ^ Paquete de plástico hermético de doble línea para un circuito integrado de semiconductores. USPTO
- ^ Dispositivo de efecto de campo de estado sólido. USPTO
- ^ Transistores de efecto de campo de puerta aislada que utilizan un sustrato de alta resistividad. USPTO
- ^ Estructura de transistor de efecto de campo MOS con áreas de contacto y compuerta similares a Mesa y uniones selectivamente más profundas. USPTO
- ^ Transistor de efecto de campo MOS bipolar. USPTO
- ^ Circuito integrado MOS con sustrato que contiene regiones de resistividad formadas selectivamente. USPTO
- ^ Método de fabricación de circuitos integrados MOS de compuerta metálica refractaria de alta densidad utilizando la compuerta como máscara de oxidación y difusión selectiva. USPTO
- ^ Circuito MOS integrado. USPTO
- ^ Método para fabricar un dispositivo compuesto, del tipo semiconductor de óxido metálico, electrodo de control con baja resistividad superficial y dispositivo obtenido. USPTO
- ^ Estructura de circuito integrado MOS y método para su fabricación. Patentes de Google
