La lectura es una acción que realizan las computadoras para adquirir datos de una fuente y colocarlos en su memoria volátil para su procesamiento . Las computadoras pueden leer información de una variedad de fuentes, como almacenamiento magnético , Internet o puertos de entrada de audio y video . La lectura es una de las funciones principales de una máquina de Turing .
Un ciclo de lectura es el acto de leer una unidad de información (por ejemplo, un byte). Un canal de lectura es un circuito eléctrico que transforma los cambios físicos del flujo magnético en bits abstractos. Un error de lectura ocurre cuando la parte física del proceso falla por alguna razón, como por ejemplo cuando entra polvo o suciedad en la unidad.
Por ejemplo, una computadora puede leer información de un disquete y almacenarla temporalmente en una memoria de acceso aleatorio antes de escribirla en el disco duro para ser procesada en una fecha futura.
El semiconductor de óxido metálico complementario (CMOS) es un medio no volátil . [1] Se utiliza en microprocesadores , microcontroladores , RAM estática y otros circuitos lógicos digitales . La memoria se lee mediante el uso de una combinación de transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico de tipo p y tipo n (MOSFET). En la lógica CMOS, una colección de MOSFET de tipo n se organizan en una red pull-down entre el nodo de salida y el riel de suministro de energía de voltaje más bajo , llamado V ss , que a menudo tiene potencial de tierra . Al afirmar o desafirmar las entradas al circuito CMOS, los transistores individuales a lo largo de las redes pull-up y pull-down se vuelven conductores y resistivos a la corriente eléctrica, y dan como resultado la ruta deseada que se conecta desde el nodo de salida a uno de los rieles de voltaje.
La memoria flash almacena información en una matriz de celdas de memoria formadas por transistores de compuerta flotante . La memoria flash utiliza lógica NOR o lógica NAND.
En un flash de compuerta NOR , cada celda se parece a un MOSFET estándar , excepto que el transistor tiene dos compuertas en lugar de una. En la parte superior está la compuerta de control (CG), como en otros transistores MOS, pero debajo de esta, hay una compuerta flotante (FG) aislada por todos lados por una capa de óxido . La FG está interpuesta entre la CG y el canal MOSFET, y debido a que la FG está aislada eléctricamente por su capa aislante, cualquier electrón colocado sobre ella queda atrapado allí y, en condiciones normales, no se descargará durante muchos años. Cuando la corriente fluye a través del canal MOSFET, se genera un código binario , que reproduce los datos almacenados .
La memoria flash NAND Gate utiliza la inyección de túnel para escribir y la liberación de túnel para borrar. La memoria flash NAND constituye el núcleo de los dispositivos de almacenamiento USB extraíbles conocidos como unidades flash USB , así como de la mayoría de los formatos de tarjetas de memoria disponibles en la actualidad.
El medio magnético se encuentra en cintas magnéticas, unidades de disco duro, disquetes, etc. Este medio utiliza diferentes patrones de magnetización en un material magnetizable para almacenar datos y es una forma de memoria no volátil . Los medios de almacenamiento magnéticos se pueden clasificar como memoria de acceso secuencial o memoria de acceso aleatorio .
La memoria de núcleo magnético utiliza toroides (anillos) de un material magnético duro (normalmente una ferrita semidura) como núcleos de transformador, donde cada cable que pasa por el núcleo actúa como devanado del transformador. Dos o más cables pasan por cada núcleo. La histéresis magnética permite que cada uno de los núcleos almacene un estado.
El medio mecánico utiliza uno de los métodos de computación más antiguos y ha quedado en gran medida obsoleto. El primer método conocido de almacenamiento de memoria y posterior lectura computarizada es el mecanismo de Antikythera (c. 100-150 a. C. ), que utiliza más de treinta engranajes que hacen girar un indicador de cuadrante. Siguiendo el mecanismo de Antikythera, Herón de Alejandría (c. 10-70 d. C. ) diseñó una obra de teatro completamente mecánica de casi diez minutos de duración, impulsada por un sistema binario de cuerdas, nudos y máquinas simples operadas por una rueda dentada cilíndrica giratoria.
Las tarjetas perforadas fueron un medio de almacenamiento común para las computadoras desde 1900 hasta 1950. La información se leía a través de un método de identificación de los agujeros en la tarjeta.
Los discos ópticos son discos no volátiles , planos, circulares y generalmente de policarbonato. Los datos se almacenan en cavidades o protuberancias dispuestas secuencialmente en la pista espiral continua que se extiende desde la pista más interna hasta la más externa, cubriendo toda la superficie del disco. Los datos se leen mediante un láser; cuando el láser entra en una cavidad, el foco del láser cambia y el software del lector lo interpenetra.
La memoria de acceso aleatorio (RAM) es una forma de almacenamiento de datos informáticos. Un dispositivo de acceso aleatorio permite acceder a los datos almacenados directamente en cualquier orden aleatorio. Por el contrario, otros medios de almacenamiento de datos, como los discos duros, los CD, los DVD y las cintas magnéticas, así como los primeros tipos de memoria primaria, como la memoria de tambor, leen y escriben datos solo en un orden predeterminado, de forma consecutiva, debido a limitaciones de diseño mecánico. Por lo tanto, el tiempo necesario para acceder a una ubicación de datos determinada varía significativamente según su ubicación física. Hoy en día, la memoria de acceso aleatorio adopta la forma de circuitos integrados. Estrictamente hablando, los tipos modernos de DRAM no son de acceso aleatorio, ya que los datos se leen en ráfagas, aunque el nombre DRAM/RAM se ha mantenido. Sin embargo, muchos tipos de SRAM, ROM, OTP y flash NOR siguen siendo de acceso aleatorio incluso en un sentido estricto. La RAM normalmente se asocia con tipos de memoria volátiles (como los módulos de memoria DRAM), donde su información almacenada se pierde si se corta la energía. Muchos otros tipos de memoria no volátil también son RAM, incluidos la mayoría de los tipos de ROM y un tipo de memoria flash llamada NOR-Flash. Los primeros módulos de RAM que llegaron al mercado se crearon en 1951 y se vendieron hasta fines de la década de 1960 y principios de la de 1970.