La inyección de túnel es un efecto de emisión de electrones de campo ; específicamente un proceso cuántico llamado efecto túnel de Fowler-Nordheim , mediante el cual se inyectan portadores de carga en un conductor eléctrico a través de una capa delgada de un aislante eléctrico.
Se utiliza para programar memorias flash NAND . El proceso utilizado para borrar se denomina liberación de túnel . Esta inyección se consigue creando una gran diferencia de tensión entre la compuerta y el cuerpo del MOSFET. Cuando V GB >> 0, los electrones se inyectan en la compuerta flotante. Cuando V GB << 0, los electrones son expulsados de la compuerta flotante.
Una alternativa a la inyección en túnel es la inyección por centrifugado.