El fosfuro de indio y galio ( InGaP ), también llamado fosfuro de galio e indio (GaInP), es un semiconductor compuesto de indio , galio y fósforo . Se utiliza en electrónica de alta potencia y alta frecuencia debido a su velocidad superior de los electrones con respecto a los semiconductores más comunes, el silicio y el arseniuro de galio .
Se utiliza principalmente en estructuras HEMT y HBT , pero también para la fabricación de células solares de alta eficiencia utilizadas para aplicaciones espaciales y, en combinación con aluminio ( aleación AlGaInP ) para fabricar LED de alto brillo con colores rojo anaranjado, naranja, amarillo y verde. colores. Algunos dispositivos semiconductores, como EFluor Nanocrystal, utilizan InGaP como partícula central.
El fosfuro de indio y galio es una solución sólida de fosfuro de indio y fosfuro de galio .
Ga 0,5 In 0,5 P es una solución sólida de especial importancia, que está casi reticulada con GaAs . Esto permite, en combinación con (Al x Ga 1−x ) 0,5 In 0,5 , el crecimiento de pozos cuánticos de celosía coincidente para láseres semiconductores emisores rojos , por ejemplo, RCLED emisores rojos (650 nm ) o VCSEL para fibras ópticas de plástico PMMA .
Ga 0,5 In 0,5 P se utiliza como unión de alta energía en células fotovoltaicas de doble y triple unión cultivadas con GaAs . Los últimos años han mostrado células solares en tándem GaInP/GaAs con eficiencias AM0 (incidencia de la luz solar en el espacio = 1,35 kW/m 2 ) superiores al 25%. [1]
Se utiliza una composición diferente de GaInP, una red que coincide con la GaInAs subyacente , como células fotovoltaicas de triple unión de unión de alta energía GaInP/GaInAs/Ge.
El crecimiento de GaInP por epitaxia puede complicarse por la tendencia de GaInP a crecer como un material ordenado, en lugar de una solución sólida verdaderamente aleatoria (es decir, una mezcla). Esto cambia la banda prohibida y las propiedades electrónicas y ópticas del material.