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Jerry G. Fossum

Jerry G. Fossum (nacido el 18 de julio de 1943) es un ingeniero eléctrico estadounidense y profesor emérito distinguido en la Facultad de Ingeniería de la Universidad de Florida .

Vida temprana y educación

Fossum es oriundo de Phoenix, Arizona . Obtuvo una licenciatura en Ciencias, una maestría en Ciencias y un doctorado en ingeniería eléctrica en la Universidad de Arizona .

Carrera

Fossum trabajó para Sandia National Laboratories antes de unirse a la facultad de la Universidad de Florida en 1978. En 1983, fue elegido miembro del IEEE . [1] Fossum recibió el premio JJ Ebers en 2004. [2] Su investigación se centra en la teoría , el modelado y el diseño de dispositivos semiconductores . [3]

Referencias

  1. ^ Huang, Ya-Chi; Chiang, Meng-Hsueh; Wang, Shui-Jinn; Fossum, Jerry G. (marzo de 2017). "GAAFET frente a FinFET pragmático en el nodo de tecnología CMOS basado en silicio de 5 nm". Revista IEEE de la Sociedad de Dispositivos Electrónicos . 5 (3): 164–169. doi : 10.1109/JEDS.2017.2689738 .
  2. ^ "EDS honra a SOI Pioneer". Consorcio de la industria SOI. 18 de abril de 2005. Consultado el 22 de febrero de 2022 .
  3. ^ "Perfil del orador Jerry G. Fossum" (PDF) . cmu.edu .