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Un DIMM , o módulo de memoria dual en línea , es un tipo de módulo de memoria de computadora que se utiliza en computadoras de escritorio, portátiles y servidores. Es una placa de circuito que contiene chips de memoria y se conecta a la placa base de la computadora. Un DIMM a menudo se denomina "memoria RAM" debido a su forma y tamaño. Un DIMM comprende una serie de circuitos integrados de memoria dinámica de acceso aleatorio que están montados en su placa de circuito. Los DIMM son el método predominante para agregar memoria a un sistema informático. La gran mayoría de DIMM están estandarizados mediante estándares JEDEC , aunque existen DIMM propietarios. Los DIMM vienen en una variedad de velocidades y tamaños, pero generalmente tienen dos longitudes: PC, que mide 133,35 mm (5,25 pulgadas) y computadora portátil ( SO-DIMM ), que tiene aproximadamente la mitad del tamaño, 67,60 mm (2,66 pulgadas). [1]
Los DIMM (módulos de memoria dual en línea) fueron una actualización de la década de 1990 para los SIMM (módulos de memoria únicos en línea) [2] [3] cuando los procesadores Pentium basados en Intel P5 comenzaron a ganar participación de mercado. El Pentium tenía un ancho de bus de 64 bits , lo que requeriría SIMM instalados en pares coincidentes para llenar el bus de datos. Luego, el procesador accedería a los dos SIMM en paralelo.
Se introdujeron DIMM para eliminar esta desventaja. Los contactos de los SIMM en ambos lados son redundantes, mientras que los DIMM tienen contactos eléctricos separados en cada lado del módulo. [4] Esto les permitió duplicar la ruta de datos de 32 bits del SIMM en una ruta de datos de 64 bits. [5]
El nombre "DIMM" se eligió como acrónimo de Módulo de memoria dual en línea , que simboliza la división de los contactos de un SIMM en dos filas independientes. [5] Se han producido muchas mejoras en los módulos en los años transcurridos, pero la palabra "DIMM" se ha mantenido como uno de los términos genéricos para un módulo de memoria de computadora.
Existen numerosas variantes de DIMM, que emplean diferentes números de pines:
Un SO-DIMM (pronunciado "so-dimm" / ˈ s oʊ d ɪ m / , también escrito " SODIMM ") o DIMM de contorno pequeño , es una alternativa más pequeña a un DIMM, ya que tiene aproximadamente la mitad del tamaño físico de un DIMM normal. Los primeros SODIMM tenían 72 pines y fueron introducidos por JEDEC en 1997. [7] [8] [9] Antes de su introducción, muchas computadoras portátiles usaban módulos RAM propietarios [10] que eran costosos y difíciles de encontrar. [7] [11]
Los SO-DIMM se utilizan a menudo en sistemas que tienen espacio limitado, que incluyen computadoras portátiles, notebooks , computadoras personales de pequeño tamaño como las basadas en placas base Nano-ITX , impresoras de oficina actualizables de alta gama y hardware de red como enrutadores y dispositivos NAS . . [12] Por lo general, están disponibles con el mismo tamaño de ruta de datos y velocidades nominales que los DIMM normales, aunque normalmente con capacidades más pequeñas.
En el borde inferior de los DIMM de 168 pines hay dos muescas y la ubicación de cada muesca determina una característica particular del módulo. La primera muesca es la posición clave de DRAM, que representa los tipos RFU (uso futuro reservado), registrados y sin búfer (posición izquierda, media y derecha, respectivamente). La segunda muesca es la posición clave de voltaje, que representa los tipos DIMM de 5,0 V, 3,3 V y RFU (el orden es el mismo que el anterior).
DDR , DDR2 , DDR3 , DDR4 y DDR5 tienen diferentes números de pines y/o diferentes posiciones de muesca, y ninguno de ellos es compatible con versiones anteriores o anteriores . DDR5 SDRAM es el tipo más reciente de memoria DDR y se utiliza desde 2020.
La capacidad de un DIMM y otros parámetros operativos se pueden identificar con la detección de presencia en serie (SPD), un chip adicional que contiene información sobre el tipo de módulo y el tiempo para que el controlador de memoria se configure correctamente. La EEPROM SPD se conecta al bus de administración del sistema y también puede contener sensores térmicos ( TS-on-DIMM ). [13]
Los DIMM ECC son aquellos que tienen bits de datos adicionales que el controlador de memoria del sistema puede utilizar para detectar y corregir errores. Existen numerosos esquemas ECC, pero quizás el más común sea el de corrección de error único y detección de error doble ( SECDED ), que utiliza un byte adicional por palabra de 64 bits. Los módulos ECC suelen llevar un múltiplo de 9 en lugar de un múltiplo de 8 chips.
A veces, los módulos de memoria están diseñados con dos o más conjuntos independientes de chips DRAM conectados a los mismos buses de direcciones y datos; cada uno de estos conjuntos se llama rango . Rangos que comparten el mismo espacio, solo se puede acceder a un rango en un momento dado; se especifica activando la señal de selección de chip (CS) del rango correspondiente. Los otros rangos en el módulo se desactivan durante la operación al tener sus correspondientes señales CS desactivadas. Actualmente, los DIMM se fabrican habitualmente con hasta cuatro rangos por módulo. Los proveedores de DIMM de consumo han comenzado recientemente a distinguir entre DIMM de clasificación simple y dual.
Después de recuperar una palabra de memoria, la memoria suele ser inaccesible durante un período de tiempo prolongado mientras los amplificadores de detección se cargan para acceder a la siguiente celda. Al entrelazar la memoria (por ejemplo, las celdas 0, 4, 8, etc. se almacenan juntas en una fila), los accesos secuenciales a la memoria se pueden realizar más rápidamente porque los amplificadores de detección tienen 3 ciclos de tiempo inactivo para recargar, entre accesos.
Los DIMM a menudo se denominan "de una cara" o " de dos caras " para describir si los chips DRAM están ubicados en uno o ambos lados de la placa de circuito impreso (PCB) del módulo. Sin embargo, estos términos pueden causar confusión, ya que el diseño físico de los chips no necesariamente se relaciona con cómo se organizan lógicamente o se accede a ellos.
JEDEC decidió que los términos "doble cara", "doble cara" o "doble banco" no eran correctos cuando se aplicaban a DIMM registrados (RDIMM).
La mayoría de los DIMM se construyen utilizando chips de memoria "×4" ("por cuatro") u "×8" ("por ocho") con hasta nueve chips por lado; "×4" y "×8" se refieren al ancho de datos de los chips DRAM en bits. Los DIMM de alta capacidad, como los DIMM de 256 GB, pueden tener hasta 19 chips por lado.
En el caso de DIMM registrados "×4", el ancho de datos por lado es de 36 bits; por lo tanto, el controlador de memoria (que requiere 72 bits) necesita direccionar ambos lados al mismo tiempo para leer o escribir los datos que necesita. En este caso, el módulo de dos caras tiene una clasificación única. Para los DIMM registrados "×8", cada lado tiene 72 bits de ancho, por lo que el controlador de memoria solo aborda un lado a la vez (el módulo de dos lados tiene doble clasificación).
El ejemplo anterior se aplica a la memoria ECC que almacena 72 bits en lugar de los 64 más comunes. También habría un chip adicional por grupo de ocho, que no se cuenta.
Para diversas tecnologías, existen determinadas frecuencias de reloj de bus y dispositivo que están estandarizadas; También existe una nomenclatura decidida para cada una de estas velocidades para cada tipo.
Los DIMM basados en DRAM de velocidad de datos única (SDR) tienen la misma frecuencia de bus para líneas de datos, direcciones y control. Los DIMM basados en DRAM de doble velocidad de datos (DDR) tienen datos, pero no la luz estroboscópica, al doble de la velocidad del reloj; Esto se logra sincronizando tanto el flanco ascendente como el descendente de las luces estroboscópicas de datos. El consumo de energía y el voltaje disminuyeron gradualmente con cada generación de DIMM basados en DDR.
Otra influencia es la latencia del estroboscópico de acceso a la columna (CAS), o CL, que afecta la velocidad de acceso a la memoria. Este es el tiempo de demora entre el comando LEER y el momento en que los datos están disponibles. Ver artículo principal CAS/CL .
En los DIMM se utilizan habitualmente varios factores de forma. Los DIMM DRAM síncronos de velocidad de datos única (SDR SDRAM) se fabricaron principalmente en alturas de 1,5 pulgadas (38 mm) y 1,7 pulgadas (43 mm). Cuando los servidores de montaje en rack 1U comenzaron a hacerse populares, estos DIMM registrados con factor de forma tenían que conectarse a zócalos DIMM en ángulo para caber en la caja de 1,75 pulgadas (44 mm) de alto. Para aliviar este problema, los siguientes estándares de DIMM DDR se crearon con una altura de "perfil bajo" (LP) de alrededor de 1,2 pulgadas (30 mm). Estos encajan en zócalos DIMM verticales para una plataforma 1U.
Con la llegada de los servidores Blade , las ranuras en ángulo se han vuelto comunes una vez más para acomodar módulos DIMM de formato LP en estas cajas con espacio limitado. Esto llevó al desarrollo del factor de forma DIMM de perfil muy bajo (VLP) con una altura de alrededor de 0,72 pulgadas (18 mm). El estándar DDR3 JEDEC para la altura de VLP DIMM es de aproximadamente 0,740 pulgadas (18,8 mm). Estos encajarán verticalmente en los sistemas ATCA .
Los DIMM DDR2 y DDR3 de 240 pines de altura completa se especifican a una altura de alrededor de 1,18 pulgadas (30 mm) según los estándares establecidos por JEDEC. Estos factores de forma incluyen DIMM de 240 pines, SO-DIMM, Mini-DIMM y Micro-DIMM. [15]
Los DIMM DDR4 de 288 pines de altura completa son ligeramente más altos que sus homólogos DDR3 con 1,23 pulgadas (31 mm). De manera similar, los DIMM VLP DDR4 también son ligeramente más altos que su equivalente DDR3 con casi 0,74 pulgadas (19 mm). [dieciséis]
A partir del segundo trimestre de 2017, Asus ha tenido un "DIMM.2" basado en PCI-E , que tiene un zócalo similar a los DIMM DDR3 y se utiliza para colocar un módulo para conectar hasta dos unidades de estado sólido M.2 NVMe . Sin embargo, no puede utilizar RAM de tipo DDR común y no tiene mucho soporte aparte de Asus. [17]
Los DIMM normales tienen generalmente 133,35 mm de longitud, los SO-DIMM 67,6 mm. [1]
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