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Boris Shklovski

Boris Ionovich Shklovskii (nacido en 1944) es un físico teórico del Instituto de Física Teórica William I Fine de la Universidad de Minnesota , especializado en materia condensada . Shklovskii obtuvo su licenciatura en Física en 1966 y un doctorado en teoría de la materia condensada en 1968 en la Universidad de Leningrado . [1]

Shklovskii es conocido por la conductividad de salto de rango variable de Efros-Shklovskii , un modelo para la dependencia de la temperatura de la conductividad eléctrica en el régimen de salto de rango variable. [2] También ha hecho importantes contribuciones a la teoría del efecto Hall cuántico (explicando la estructura de los canales de borde conductores [3] y prediciendo la formación de las fases de franja y burbuja de Hall cuántico [4] [5] ) y a la teoría de macromoléculas (desarrollando la teoría de la inversión de carga electrostática [6] [7] ).

Honores y premios

Shklovskii fue galardonado con el Premio Landau de la Academia de Ciencias de la URSS en 1986, la Cátedra AS Fine de Física Teórica en 1990, [1] [8] y fue elegido miembro de la Sociedad Americana de Física en 1997. [9]

En 2018, recibió el Premio de Física de Materia Condensada Oliver E. Buckley 2019 por " investigación pionera en la física de materiales desordenados y conductividad saltante " junto con Alexei L. Efros y Elihu Abrahams . [10]

En 2023 fue elegido miembro de la Academia Nacional de Ciencias . [11]

Referencias

  1. ^ ab UMN BIO physics Shklovskii Consultado el 28 de abril de 2019.
  2. ^ Efros, AL; Van Lien, Nguyen; Shklovskii, BI (1979). "Saltos de rango variable en semiconductores cristalinos dopados". Comunicaciones de estado sólido . 32 (10): 851–854. Código Bibliográfico :1979SSCom..32..851E. doi :10.1016/0038-1098(79)90484-8. ISSN  0038-1098.
  3. ^ Chklovskii, DB; Shklovskii, BI; Glazman, LI (15 de agosto de 1992). "Electrostática de canales de borde". Physical Review B . 46 (7). American Physical Society (APS): 4026–4034. Bibcode :1992PhRvB..46.4026C. doi :10.1103/physrevb.46.4026. ISSN  0163-1829. PMID  10004131.
  4. ^ Koulakov, AA; Fogler, MM; Shklovskii, BI (15 de enero de 1996). "Onda de densidad de carga en un líquido electrónico bidimensional en un campo magnético débil". Physical Review Letters . 76 (3). American Physical Society (APS): 499–502. arXiv : cond-mat/9508017 . Código Bibliográfico :1996PhRvL..76..499K. doi :10.1103/physrevlett.76.499. ISSN  0031-9007. PMID  10061472. S2CID  41126815.
  5. ^ Fogler, MM; Koulakov, AA; Shklovskii, BI (15 de julio de 1996). "Estado fundamental de un líquido electrónico bidimensional en un campo magnético débil". Physical Review B . 54 (3). American Physical Society (APS): 1853–1871. arXiv : cond-mat/9601110 . Código Bibliográfico :1996PhRvB..54.1853F. doi :10.1103/physrevb.54.1853. ISSN  0163-1829. PMID  9986033. S2CID  13279439.
  6. ^ Shklovskii, BI (1999-11-01). "Protección de un macroión por iones multivalentes: inversión de carga inducida por correlación". Physical Review E . 60 (5). American Physical Society (APS): 5802–5811. arXiv : cond-mat/9907351 . Bibcode :1999PhRvE..60.5802S. doi :10.1103/physreve.60.5802. ISSN  1063-651X. PMID  11970478. S2CID  25976742.
  7. ^ Grosberg, A. Yu.; Nguyen, TT; Shklovskii, BI (19 de abril de 2002). "Coloquio: La física de la inversión de carga en sistemas químicos y biológicos". Reseñas de Física Moderna . 74 (2). Sociedad Estadounidense de Física (APS): 329–345. Bibcode :2002RvMP...74..329G. doi :10.1103/revmodphys.74.329. ISSN  0034-6861.
  8. ^ Cátedras y profesores dotados de CSE de la UMN Archivado el 28 de marzo de 2016 en Wayback Machine . Consultado el 28 de abril de 2019.
  9. ^ "Archivo de becarios de APS". APS . Consultado el 18 de junio de 2020 .
  10. ^ "Ganador del premio Oliver E. Buckley de Física de la Materia Condensada 2019". Sociedad Estadounidense de Física . Consultado el 28 de abril de 2019 .
  11. ^ "Shklovskii elegido miembro de la Academia Nacional de Ciencias". Facultad de Ciencias e Ingeniería de la Universidad de Minnesota . Consultado el 8 de agosto de 2024 .

Enlaces externos