stringtranslate.com

Óxido de indio (III)

El óxido de indio (III) ( In 2 O 3 ) es un compuesto químico , un óxido anfótero de indio .

Propiedades físicas

Estructura cristalina

El óxido de indio amorfo es insoluble en agua pero soluble en ácidos, mientras que el óxido de indio cristalino es insoluble tanto en agua como en ácidos. La forma cristalina existe en dos fases, la cúbica ( tipo bixbyita ) [1] y la romboédrica ( tipo corindón ). Ambas fases tienen una banda prohibida de aproximadamente 3 eV. [3] [4] Los parámetros de la fase cúbica se enumeran en el cuadro de información.

La fase romboédrica se produce a altas temperaturas y presiones o cuando se utilizan métodos de crecimiento fuera del equilibrio. [5] Tiene un grupo espacial R 3 c No. 167, símbolo de Pearson hR30, a = 0,5487 nm, b = 0,5487 nm, c = 1,4510 nm, Z = 6 y densidad calculada 7,31 g/cm 3 . [6]

Conductividad y magnetismo

Las películas delgadas de óxido de indio dopado con cromo ( In 2−x Cr x O 3 ) son un semiconductor magnético que muestra ferromagnetismo de alta temperatura , estructura cristalina monofásica y comportamiento de semiconductor con alta concentración de portadores de carga . Tiene posibles aplicaciones en espintrónica como material para inyectores de espín. [7]

Las películas policristalinas delgadas de óxido de indio dopado con Zn 2+ son altamente conductoras (conductividad ~10 5 S/m) e incluso superconductoras a temperaturas de helio líquido . La temperatura de transición superconductora T c depende del dopaje y de la estructura de la película y es inferior a 3,3 K. [8]

Síntesis

Las muestras a granel se pueden preparar calentando hidróxido de indio (III) o nitrato, carbonato o sulfato. [9] Se pueden preparar películas delgadas de óxido de indio mediante pulverización catódica de blancos de indio en una atmósfera de argón / oxígeno . Se pueden utilizar como barreras de difusión (" metales de barrera ") en semiconductores , por ejemplo, para inhibir la difusión entre aluminio y silicio . [10]

Los nanocables monocristalinos se pueden sintetizar a partir de óxido de indio mediante ablación láser, lo que permite un control preciso del diámetro hasta 10 nm. A partir de ellos se fabricaron transistores de efecto de campo . [11] Los nanocables de óxido de indio pueden servir como sensores de proteínas redox sensibles y específicos . [12] El método sol-gel es otra forma de preparar nanocables. [ cita requerida ]

El óxido de indio puede servir como material semiconductor , formando heterouniones con p - InP , n - GaAs , n- Si y otros materiales. Se puede depositar una capa de óxido de indio sobre un sustrato de silicio a partir de una solución de tricloruro de indio , un método útil para la fabricación de células solares . [13]

Reacciones

Cuando se calienta a 700 °C, el óxido de indio (III) se forma en 2 O (llamado óxido de indio (I) o subóxido de indio), a 2000 °C se descompone. [9] Es soluble en ácidos pero no en álcalis. [9] Con amoniaco a alta temperatura se forma nitruro de indio : [14]

En 2O3 + 2NH3 2InN + 3H2O

Con K 2 O y metal indio se preparó el compuesto K 5 InO 4 que contiene iones tetraédricos InO 4 5− . [15] Al reaccionar con una variedad de trióxidos metálicos se producen perovskitas [16] por ejemplo:

En 2O3 + Cr2O32InCrO3​​

Aplicaciones

El óxido de indio se utiliza en algunos tipos de baterías, reflectores infrarrojos de película fina transparentes para la luz visible ( espejos calientes ), algunos recubrimientos ópticos y algunos recubrimientos antiestáticos . En combinación con dióxido de estaño , el óxido de indio forma óxido de indio y estaño (también llamado óxido de indio dopado con estaño u ITO), un material utilizado para recubrimientos conductores transparentes.

En semiconductores, el óxido de indio se puede utilizar como un semiconductor de tipo n utilizado como elemento resistivo en circuitos integrados . [17]

En histología , el óxido de indio se utiliza como parte de algunas formulaciones de tinción .

Véase también

Referencias

  1. ^ ab Marezio, M. (1966). "Refinamiento de la estructura cristalina de In2O3 en dos longitudes de onda". Acta Crystallographica . 20 (6): 723–728. Código Bibliográfico :1966AcCry..20..723M. doi :10.1107/S0365110X66001749.
  2. ^ "Óxido de indio". pubchem.ncbi.nlm.nih.gov .
  3. ^ Walsh, A; et al. (2008). "Naturaleza de la brecha de banda de In2O3 revelada por cálculos de primeros principios y espectroscopia de rayos X" (PDF) . Physical Review Letters . 100 (16): 167402. Bibcode :2008PhRvL.100p7402W. doi :10.1103/PhysRevLett.100.167402. PMID  18518246. Archivado desde el original (PDF) el 2017-12-15 . Consultado el 2016-11-25 .
  4. ^ King, PDC; Fuchs, F.; et al. (2009). "Band gap, electronic structure, and surface electron acquisition of cubic and rhombohedral In2O3" (PDF) . Physical Review B . 79 (20): 205211. Bibcode :2009PhRvB..79t5211K. doi :10.1103/PhysRevB.79.205211. S2CID  53118924. Archivado desde el original (PDF) el 2019-12-31.
  5. ^ The Minerals Metals & Materials Society (Tms); The Minerals, Metals & Materials Society (TMS) (6 de abril de 2011). 140.° Encuentro y Exhibición Anual de la TMS 2011, Selección de artículos generales. John Wiley and Sons. págs. 51–. ISBN 978-1-118-06215-9. Recuperado el 23 de septiembre de 2011 .
  6. ^ Prewitt, Charles T.; Shannon, Robert D.; Rogers, Donald Burl; Sleight, Arthur W. (1969). "Transición óxido-corindón de tierras raras C y química cristalina de óxidos que tienen la estructura del corindón". Química inorgánica . 8 (9): 1985–1993. doi :10.1021/ic50079a033.
  7. ^ "Un nuevo material aporta su propio toque a la electrónica". Instrumentación y tecnología biomédica . 40 (4): 267. 2006. doi :10.2345/i0899-8205-40-4-267.1.
  8. ^ Makise, Kazumasa; Kokubo, Nobuhito; Takada, Satoshi; Yamaguti, Takashi; Ogura, Syunsuke; Yamada, Kazumasa; Shinozaki, Bunjyu; Yano, Koki; et al. (2008). "Superconductividad en películas de In2O3 transparentes dopadas con zinc que tienen baja densidad de portador". Ciencia y Tecnología de Materiales Avanzados . 9 (4): 044208. Código bibliográfico : 2008STAdM...9d4208M. doi :10.1088/1468-6996/9/4/044208. PMC 5099639 . PMID  27878025. 
  9. ^ abc Downs, Anthony John (1993). Química del aluminio, el galio, el indio y el talio . Springer. ISBN 0-7514-0103-X.
  10. ^ Kolawa, E. y Garland, C. y Tran, L. y Nieh, CW y Molarius, JM y Flick, W. y Nicolet, M.-A. y Wei, J. (1988). "Barreras de difusión de óxido de indio para metalizaciones de Al/Si". Applied Physics Letters . 53 (26): 2644–2646. Bibcode :1988ApPhL..53.2644K. doi : 10.1063/1.100541 .{{cite journal}}: CS1 maint: varios nombres: lista de autores ( enlace )
  11. ^ Li, C; Zhang, D; Han, S; Liu, X; Tang, T; Lei, B; Liu, Z; Zhou, C (2003). "Síntesis, propiedades electrónicas y aplicaciones de nanocables de óxido de indio". Anales de la Academia de Ciencias de Nueva York . 1006 (1): 104–21. Bibcode :2003NYASA1006..104L. doi :10.1196/annals.1292.007. PMID  14976013. S2CID  5176429.
  12. ^ "Aplicación de nanocables de óxido de indio como sensores de proteínas redox sensibles y específicos". Instituto Foresight Nanotech. Archivado desde el original el 8 de agosto de 2008. Consultado el 29 de octubre de 2008 .
  13. ^ Feng, Tom y Ghosh, Amal K. (1984) "Método para formar células solares de heterojunción de óxido de indio/n-silicio", patente estadounidense 4.436.765
  14. ^ Wiberg, Egon y Holleman, Arnold Frederick (2001) Química inorgánica , Elsevier ISBN 0123526515 
  15. ^ Lulei, M.; Hoppe, R. (1994). "Über" Orthoindate "der Alkalimetalle: Zur Kenntnis von K 5 [InO 4 ]". Zeitschrift für anorganische und allgemeine Chemie . 620 (2): 210–224. doi :10.1002/zaac.19946200205.
  16. ^ Shannon, Robert D. (1967). "Síntesis de algunas nuevas perovskitas que contienen indio y talio". Química inorgánica . 6 (8): 1474–1478. doi :10.1021/ic50054a009. ISSN  0020-1669.
  17. ^ "In2O3 (óxido de indio)". CeramicMaterials.info. Archivado desde el original el 2008-06-30 . Consultado el 2008-10-29 .